时间：2025/12/26 10:47:23
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MMBZ5259B-7-F是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装稳压二极管（Zener Diode），采用SOD-323封装。该器件专为低功率稳压应用设计，适用于需要精确电压参考和过压保护的便携式电子设备。MMBZ5259B-7-F的标称齐纳电压为36V，额定功率为200mW，具有较小的动态电阻和良好的温度稳定性，能够在宽温度范围内提供稳定的电压输出。其小型化封装适合高密度PCB布局，并具备优良的热性能和可靠性。该器件广泛应用于消费类电子产品、通信设备、电源管理电路以及信号调理电路中，作为电压箝位、基准电压源或瞬态电压抑制元件。
型号：MMBZ5259B-7-F
制造商：Diodes Incorporated
封装/包装：SOD-323
类型：齐纳二极管
极性：单齐纳
标称齐纳电压：36V @ 20mA
齐纳电压容差：±5%
最大耗散功率：200mW
工作温度范围：-65°C ~ 150°C
存储温度范围：-65°C ~ 150°C
测试电流：20mA
最大反向漏电流：1μA @ 32.4V
动态阻抗：@ 1kHz, 50Ω max
热阻：RθJA ≈ 500°C/W
MMBZ5259B-7-F具备优异的电压调节性能和稳定的电气特性，适用于多种精密稳压场景。其核心特性之一是具备精确的36V齐纳击穿电压，在20mA的测试电流下能够维持高度一致的稳压值，且电压容差控制在±5%以内，确保了系统设计中的可预测性和可靠性。该器件采用先进的硅扩散工艺制造，具有较低的动态阻抗，通常在1kHz条件下不超过50Ω，这意味着在负载变化时输出电压波动小，能有效提升电源系统的稳定性。此外，其反向漏电流极低，在额定电压以下的漏电典型值仅为1μA，有助于降低待机功耗，特别适合电池供电或对能耗敏感的应用场合。
该器件的SOD-323封装体积小巧，仅约2.8mm x 1.6mm x 1.1mm，非常适合空间受限的高集成度电路板设计。封装结构具有良好的散热性能和机械强度，支持回流焊工艺，符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，满足现代绿色电子产品的生产要求。MMBZ5259B-7-F还表现出优秀的温度稳定性，其电压温度系数经过优化，在-65°C至+150°C的工作温度范围内仍能保持稳定的击穿特性，避免因环境温度变化引起的性能漂移。这种宽温适应能力使其不仅可用于常规工业环境，也可应用于车载电子或户外设备等严苛条件下的电路保护。
另外，该齐纳二极管具备快速响应能力，可用于瞬态电压抑制（TVS）功能，虽然其主要用途并非高压浪涌保护，但在低能量干扰环境下仍能提供一定程度的噪声滤波和电压箝位作用。结合其低成本、高可靠性的特点，MMBZ5259B-7-F成为众多模拟电路中理想的电压参考元件，尤其适用于ADC参考、偏置电路、逻辑电平转换及电源监控电路等应用场景。整体而言，这款器件在精度、尺寸与可靠性之间实现了良好平衡，是现代电子设计中常用的分立稳压解决方案之一。
MMBZ5259B-7-F常用于便携式电子设备中的电压参考与稳压电路，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备；也广泛应用于电源适配器、DC-DC转换器的反馈环路中作为基准电压源；同时适用于工业控制模块、传感器信号调理电路、通信接口保护电路以及各类需要36V稳压参考的小功率模拟系统。其小型封装使其特别适合高密度PCB布局，还可用于过压保护和电压箝位设计中，保障敏感器件免受异常电压冲击。
PMBZ5259B,115; MMBZ5259BL
