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MMBZ5248B-7-F 发布时间 时间:2025/12/26 10:29:27 查看 阅读:18

MMBZ5248B-7-F是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装小尺寸齐纳二极管,采用SOD-323封装。该器件专为低功率稳压和电压参考应用设计,适用于便携式电子设备、消费类电子产品以及需要紧凑型电压保护方案的电路中。MMBZ5248B-7-F的标称齐纳电压为16V,在测试电流下具有稳定的电压调节性能,并具备良好的动态阻抗特性,能够有效抑制电压波动。该器件采用先进的玻璃钝化工艺制造,提高了长期稳定性和可靠性。其小型化封装形式(SOD-323)非常适合高密度PCB布局,节省空间的同时提供高效的热传导路径。MMBZ5248B-7-F符合RoHS环保标准,并通过了无卤素认证,满足现代绿色电子产品设计的要求。此外,该器件还具有低温度系数设计,在一定温度范围内能保持较为稳定的电压输出,适合在工业级温度范围(-55°C至+150°C)内工作。由于其出色的响应速度和较低的寄生电感,MMBZ5248B-7-F也可用于瞬态电压抑制场景,如ESD保护或信号线钳位。整体而言,这是一款高性能、高可靠性的精密稳压元件,广泛应用于电源管理、模拟电路偏置、电压检测及过压保护等场合。

参数

型号:MMBZ5248B-7-F
  制造商:Diodes Incorporated
  封装类型:SOD-323
  齐纳电压(Vz):16V @ 20μA
  容差:±5%
  最大耗散功率:200mW
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  正向电压(VF):典型值1.0V @ 10mA
  动态阻抗(Zzt):≤40Ω @ 1mA
  温度系数:+8mV/°C(典型)
  反向漏电流(IR):≤1μA @ 12V

特性

MMBZ5248B-7-F的电气特性表现出优异的电压稳定性和低动态阻抗,使其成为精密电压参考和低功耗稳压应用的理想选择。其核心特性之一是齐纳击穿机制的设计优化,在16V标称电压下实现了良好的电压精度与温度稳定性。该器件在额定电流条件下具有较小的电压偏差,±5%的容差确保了批量使用中的一致性,减少了系统校准的需求。更重要的是,其动态阻抗(Zzt)在1mA测试电流下不超过40Ω,这意味着当负载电流发生微小变化时,输出电压的变化幅度非常有限,从而提升了系统的稳压能力。这一特性对于敏感的模拟前端电路、ADC参考源或偏置网络尤为重要。
  另一个关键优势在于其低漏电流表现。在反向电压低于击穿阈值时,反向漏电流被控制在1μA以内(@12V),这显著降低了待机状态下的功耗,特别适用于电池供电设备或对能耗敏感的应用场景。同时,该器件具备良好的温度适应性,尽管16V齐纳二极管通常具有正温度系数,但MMBZ5248B-7-F通过材料选择和结构优化将温度漂移控制在合理范围内(典型+8mV/°C),便于进行热补偿设计。
  SOD-323封装不仅体积小巧(约1.7mm x 1.25mm x 1.1mm),而且具备良好的热传导性能,能够在有限的空间内有效散热,延长器件寿命。此外,该封装支持自动化贴片生产,适用于大规模SMT工艺,提升制造效率。器件还经过严格的可靠性测试,包括高温反向偏压(HTRB)、温度循环和湿度敏感度等级评估,确保在严苛环境下的长期稳定运行。综合来看,MMBZ5248B-7-F在精度、稳定性、封装尺寸和环境适应性方面均表现出色,是现代电子系统中不可或缺的基础元器件之一。

应用

MMBZ5248B-7-F广泛应用于多种电子系统中,主要功能包括电压参考、电源稳压、过压保护和信号钳位。在便携式设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中,它常用于为传感器模块或低功耗MCU提供稳定的参考电压,确保测量精度不受电源波动影响。在电源管理系统中,该齐纳二极管可用于反馈回路中的电压采样点钳位,防止异常高压损坏后续电路。此外,在接口电路(如USB、I2C、GPIO)中,MMBZ5248B-7-F可作为ESD保护元件,吸收瞬态静电放电能量,保护敏感IC免受损害。
  在工业控制领域,该器件常用于PLC输入模块的信号调理电路中,对模拟或数字输入信号进行限幅处理,避免因线路干扰或接线错误导致控制器损坏。在汽车电子系统中,虽然其功率等级不适用于主电源轨保护,但在车载信息娱乐系统的辅助电源或传感器偏置电路中仍可发挥重要作用。此外,由于其快速响应特性,MMBZ5248B-7-F也适用于高频开关电源中的电压监测节点,提供可靠的电压基准以维持闭环控制稳定性。
  在测试与测量仪器中,该齐纳二极管可用于构建低成本但高稳定性的电压基准源,配合运放构成精密稳压电路。在通信设备中,可用于射频模块的偏置网络稳压,确保放大器工作点稳定。总体而言,无论是在消费类电子、工业自动化还是通信基础设施中,MMBZ5248B-7-F都能以其紧凑尺寸和可靠性能满足多样化的电压管理需求,尤其适合空间受限且要求高稳定性的应用场景。

替代型号

PMBZ5248B,115; BZT52C16,215; MMBZ5248B; SZMMSZ5248B

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MMBZ5248B-7-F参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)18V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)900mV @ 10mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电100nA @ 14V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大350mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)21 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3
  • 包装Digi-Reel®
  • 工作温度-65°C ~ 150°C
  • 其它名称MMBZ5248B-FDIDKR