类型：齐纳二极管
　　标称齐纳电压：18V
　　容差：±5%
　　最大齐纳电流：200mA
　　最大功耗：300mW
　　封装形式：SOT-23
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 150°C
　　最大反向漏电流（VR < VZ）：100nA

MMBZ5248B/18V 齐纳二极管具有多个显著特性，适用于多种电子应用。首先，其标称齐纳电压为 18V，且容差为 ±5%，能够提供较为精确的电压参考，适用于需要稳定电压的电路中。其次，该器件的最大齐纳电流为 200mA，能够承受一定的负载波动，确保在不同工作条件下保持稳定输出。此外，MMBZ5248B/18V 的最大功耗为 300mW，适用于低功耗设计，特别适合便携式设备和嵌入式系统。其 SOT-23 封装形式不仅节省空间，而且便于自动化生产和 PCB 布局。该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适应各种严苛环境下的稳定运行，适用于工业控制、通信设备和消费类电子产品。同时，MMBZ5248B/18V 的反向漏电流极低，在未击穿状态下小于 100nA，有助于降低电路的静态功耗并提高整体能效。

MMBZ5248B/18V 齐纳二极管适用于多种电子电路和系统中。首先，它常用于电压基准源设计，为 ADC、DAC 或比较器提供稳定的参考电压。其次，该器件可用于过压保护电路，防止敏感元件因电压突变而损坏，常见于电源管理模块和电池充电器中。此外，MMBZ5248B/18V 也适用于电压调节电路，作为简单的并联稳压器，为低功耗设备提供稳定的电压输出。在通信设备中，该齐纳二极管可用于信号调理和接口保护，提高系统的稳定性和可靠性。同时，它也可用于嵌入式系统和工业控制设备中，确保关键电路在复杂环境下的稳定运行。

MMBZ5248BS/18V, MMBZ5248B-13-F, MMBZ5248B-GS08