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MMBZ5232B-7-F 发布时间 时间:2025/12/26 8:45:13 查看 阅读:14

MMBZ5232B-7-F是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装稳压二极管(Zener Diode),采用SOD-323封装,广泛应用于需要精确电压参考和过压保护的电子电路中。该器件属于MMBZ52xx系列的一部分,具有高精度、小尺寸和优良的热稳定性等特点,适合在便携式设备、电源管理模块以及信号调理电路中使用。其标称稳压值为5.6V,在测试电流IZT为20mA时能够提供稳定的电压输出,动态阻抗低,响应速度快,可有效抑制瞬态电压波动。此外,SOD-323封装结构紧凑,占用PCB面积小,适用于高密度布局的现代电子产品设计。MMBZ5232B-7-F符合RoHS环保标准,并具备良好的可靠性,在工业控制、消费类电子和通信设备中均有广泛应用。该器件能够在较宽的工作温度范围内保持性能稳定,典型应用包括电压钳位、ESD保护、基准电压源构建等场景。

参数

类型:稳压二极管
  封装:SOD-323
  稳压值VZ:5.6V
  测试电流IZT:20mA
  最大功率耗散PD:200mW
  齐纳阻抗Zzt:10Ω
  工作温度范围:-65°C ~ +150°C
  储存温度范围:-65°C ~ +150°C
  容差:±5%

特性

MMBZ5232B-7-F的稳压特性优异,在额定电流条件下能维持非常稳定的输出电压。其标称稳压值为5.6V,这是硅基齐纳二极管的一个典型“拐点”电压,对应于最小动态阻抗区域,因此在该电压下器件表现出最佳的电压调节能力。该器件在20mA的测试电流下工作,动态阻抗仅为10Ω,意味着当负载或输入电压发生波动时,输出电压的变化极小,从而确保系统中的敏感元件获得可靠的电压参考。这种低动态阻抗特性使其特别适用于模拟电路中的基准源设计,如运算放大器偏置、ADC参考电平生成等。
  该器件采用先进的平面工艺制造,具有出色的长期稳定性和温度系数表现。其温度系数在5.6V附近接近零,显著优于更低或更高电压等级的齐纳二极管,这意味着在整个工作温度范围内(从-65°C到+150°C)电压漂移极小,提升了系统的整体精度和可靠性。此外,MMBZ5232B-7-F具备快速响应能力,可用于吸收瞬态电压尖峰,常用于静电放电(ESD)保护和浪涌抑制场合。由于其封装体积小(SOD-323),热质量较低,散热主要依赖PCB走线,因此在布局时建议连接足够的铜箔面积以提高散热效率,避免因局部过热导致参数漂移或失效。
  该器件还具备良好的反向漏电流控制能力,在未达到击穿电压前漏电极小,通常在微安级别,有利于降低待机功耗,适用于电池供电设备。其最大功率耗散为200mW,结合热阻参数可计算出实际应用中的最大允许持续电流,防止过热损坏。整体而言,MMBZ5232B-7-F凭借其高精度、小尺寸和优良电气性能,成为众多精密电子系统中不可或缺的基础元器件之一。

应用

广泛用于便携式电子设备中的电压参考源设计,例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源监控电路;也常见于各类DC-DC转换器反馈回路中作为分压采样后的稳压比较基准;在工业传感器信号调理模块中用作钳位保护元件,防止输入信号超过ADC输入范围;还可用于通信接口(如RS-232、I/O端口)的ESD和浪涌防护;在消费类家电控制板、智能仪表及汽车电子辅助系统中实现过压保护与电压稳定功能;此外,由于其温度特性优越,也可作为低成本的基准电压源替代方案应用于测量仪器和数据采集系统中。

替代型号

BZT52C5V6TR\BZT52C5V6-7-F\MM3Z5V6T1G

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MMBZ5232B-7-F参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)5.6V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)900mV @ 10mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电5µA @ 3V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大350mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)11 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3
  • 包装Digi-Reel®
  • 工作温度-65°C ~ 150°C
  • 其它名称MMBZ5232B-FDIDKR