时间：2025/8/14 18:42:31
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MMBZ5229B_R1_00001是一款表面贴装型齐纳二极管（Zener Diode），主要用于电压调节和电路保护应用。该器件采用SOT-23封装，适合在小型电子设备中使用，具有良好的稳定性和响应速度。其齐纳电压额定值为4.7V，适用于多种低功率稳压场景。
类型：齐纳二极管
封装类型：SOT-23
齐纳电压：4.7V
最大耗散功率：200mW
最大齐纳电流：85mA
工作温度范围：-55°C 至 150°C
存储温度范围：-55°C 至 150°C
引脚数：3
MMBZ5229B_R1_00001具备良好的电压调节精度，典型齐纳电压容差为±5%。其SOT-23封装设计使其适用于空间受限的电路板布局。该器件的最大功率耗散为200mW，可在高达150°C的结温下稳定运行，确保在高温环境下的可靠性。此外，该齐纳二极管具有快速响应特性，适用于瞬态电压抑制和参考电压源设计。
该器件的材料符合RoHS环保标准，适合无铅焊接工艺。其低动态阻抗特性有助于在负载变化时保持输出电压稳定，提高电路的整体性能。MMBZ5229B_R1_00001广泛应用于便携式电子设备、电源管理电路以及信号调节电路中。
MMBZ5229B_R1_00001主要应用于需要稳定参考电压的场合，例如电源电路中的电压调节、ADC/DAC参考电压源、信号调理电路以及过压保护电路。由于其小型封装和良好性能，它也常用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子中的低功耗稳压应用。
MMBZ5229B-7-F, MMBZ5229BLT1G, BZT52C4V7
