时间：2025/8/14 19:12:59
阅读：18
MMBZ5227B_R1_00001 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）制造的表面贴装齐纳二极管（Zener Diode），主要用于电压调节和电路保护应用。该器件采用小型SOD-123封装，适合空间受限的高密度电路设计。其齐纳电压额定值为3.0V，能够提供稳定可靠的电压参考和过压保护功能，适用于便携式电子产品、电源管理模块、电池供电设备等多种应用场景。
齐纳电压（Vz）：3.0V
最大齐纳电流（Izmax）：200mA
容差：±5%
最大耗散功率：300mW
工作温度范围：-55°C 至 150°C
存储温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOD-123
引脚数：2
反向漏电流（IR）：100nA（最大）
测试条件电流（Izt）：5mA
MMBZ5227B_R1_00001 齐纳二极管具有出色的电压稳定性和低动态阻抗，能够在宽电流范围内维持稳定的输出电压。其小型SOD-123封装不仅节省空间，而且具有良好的热性能，有助于提高整体电路的可靠性和耐用性。该器件的齐纳电压容差为±5%，确保在各种工作条件下都能提供精确的电压参考。此外，MMBZ5227B_R1_00001 的反向漏电流极低，在常温下最大仅为100nA，有助于减少静态功耗并提高能效。其最大齐纳电流为200mA，支持中等功率应用的需求，同时具备较高的功率耗散能力（300mW），可在较高的负载条件下保持稳定运行。该器件的工作温度范围广泛，适用于工业级和消费级电子设备。由于其优异的电气特性和紧凑的设计，MMBZ5227B_R1_00001 成为众多电路设计中的首选齐纳二极管之一。
MMBZ5227B_R1_00001 主要用于电压调节、电源管理、过压保护和信号电平转换等电路应用。常见于便携式电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，用于稳定电压和保护敏感电路免受电压波动的影响。此外，该器件也广泛应用于电池管理系统、DC-DC转换器、USB接口保护电路、传感器电路和各种低功耗嵌入式系统。在工业控制和通信设备中，MMBZ5227B_R1_00001 也常用于提供精确的电压基准和保护关键电路免受瞬态电压冲击。
MMBZ5227B, MMSZ5227B, 1N4728A
