时间：2025/5/21 23:44:44
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MMBZ5225BLT1G 是一款超小型表面贴装瞬态电压抑制器（TVS），专为保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和其他瞬态过压事件的影响而设计。该器件采用了先进的硅雪崩技术，具有低电容和快速响应时间的特点，适合用于高速数据线、音频/视频信号线以及射频接口的保护。
其封装形式为 SOD-882，体积小巧，非常适合空间受限的应用场景。
工作电压：6.8V
峰值脉冲功率：390W（@tp=10/1000μs）
最大反向工作电压：6.8V
击穿电压：7.8V
箝位电压：13.8V
最大泄漏电流：1μA（@VRWM=6.8V）
电容：15pF
结电容：15pF
响应时间：1ps
工作温度范围：-55℃至+150℃
MMBZ5225BLT1G 具有以下显著特性：
1. 快速响应时间，能够有效抑制瞬态电压尖峰。
2. 低电容设计，对高速信号的影响极小。
3. 高度可靠的硅雪崩技术，确保在恶劣环境下的稳定性。
4. 小型化封装，适合高密度电路板设计。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
6. 耐高温性能优异，适用于工业级和汽车级应用。
7. 可靠性经过严格测试，能够在极端条件下保持稳定运行。
MMBZ5225BLT1G 广泛应用于以下领域：
1. 高速数据接口保护，如 USB、HDMI 和 DisplayPort。
2. 移动设备中的射频接口保护，例如手机、平板电脑和笔记本电脑。
3. 工业控制设备中的信号线保护。
4. 汽车电子系统中的 ESD 保护，包括 CAN 总线和 LIN 总线。
5. 无线通信模块中的天线端口保护。
6. 医疗设备中的敏感信号线路保护。
7. 家用电器中的电源输入端口保护。
PESD5V0R1BG, SMAJ6.8A
