MMBZ5225B 3V0 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的表面贴装(SOT-23封装)齐纳二极管(Zener Diode),其标称稳压值为3.0V。该器件主要用于电压参考、电压调节和电路保护等应用。MMBZ5225B属于MMBZ52xx系列,具有良好的温度稳定性和快速响应能力,适用于便携式电子设备、电源管理电路和信号调节电路等场景。
类型:齐纳二极管
封装形式:SOT-23
标称齐纳电压:3.0V(在测试电流IZ为20mA时)
最大齐纳电流:200mA
最大功耗:300mW
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
存储温度范围:-55°C ~ +150°C
最大反向漏电流(VR=1.8V):100nA
动态电阻(Zzt):最大20Ω
齐纳阻抗(Zzk @ IZK=0.25mA):最大400Ω
MMBZ5225B 3V0 齐纳二极管具有多项优良的电气和物理特性。首先,它采用了先进的硅平面技术,确保了良好的稳定性和可靠性。
其次,该器件的封装形式为SOT-23,体积小巧,便于在高密度PCB布局中使用,同时具有良好的散热性能。
此外,MMBZ5225B在标称工作电流下的齐纳电压非常稳定,典型值为3.0V,适用于需要精确电压参考的应用场景。
其动态电阻较低,确保在负载变化时仍能保持稳定的输出电压。
该器件的温度系数较小,具有良好的温度稳定性,适用于宽温度范围内的工作环境。
MMBZ5225B的响应速度快,能够迅速抑制电压波动,适用于电路保护和瞬态电压抑制场合。
同时,其低反向漏电流特性(在1.8V反向电压下最大为100nA)有助于减少不必要的功耗,提高系统效率。
整体来看,MMBZ5225B是一款性能优异、应用广泛的齐纳二极管,适合多种电子系统设计需求。
MMBZ5225B 3V0 主要用于以下应用场景:首先,在电压参考电路中,它可以为ADC、DAC或其他模拟电路提供稳定的3.0V参考电压。
其次,在电源管理电路中,该器件可用于电压调节、稳压或作为保护元件,防止过压损坏敏感的下游电路。
此外,MMBZ5225B也常用于便携式设备(如智能手机、平板电脑、可穿戴设备)中的低电压系统,以确保稳定的电源供应。
在信号调节电路中,该齐纳二极管可用于限制信号幅度,防止输入电压超过系统允许范围。
在通信设备中,可用于保护接口电路免受静电放电(ESD)和瞬态电压的影响。
另外,该器件也可用于微控制器、传感器和逻辑电路的电压钳位保护,提高系统的可靠性和稳定性。
由于其低功耗和小型封装,也适用于电池供电设备中的电压监测和稳压应用。
MM3Z3V0ST1G, BZX84C3V0, MMSZ5225B-3.0, 1N4728A