MMBZ5221BTW_R1_00001 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的表面贴装(SOT-23封装)齐纳二极管,主要用于电压参考和电压调节应用。该器件具有精确的击穿电压,适用于低功率电路中的电压稳定和保护。其设计使得它可以在广泛的工作条件下提供稳定的参考电压,同时具有较低的动态阻抗和快速响应时间。
类型:齐纳二极管
封装:SOT-23
功率耗散:200 mW
齐纳电压(Vz):2.4 V
齐纳电流(Iz):20 mA
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-65°C 至 +150°C
最大反向漏电流(IR):100 nA(@ Vz - 1V)
最大动态阻抗(Zzt):90 Ω(@ Iz = 20 mA)
MMBZ5221BTW_R1_00001 齐纳二极管具备高精度和稳定性,适用于对电压参考要求较高的电路设计。其SOT-23封装形式非常适合空间受限的表面贴装应用。该器件的击穿电压为2.4V,具有较宽的额定工作温度范围,使其能够在多种环境条件下稳定工作。动态阻抗较低,有助于在负载变化时保持输出电压的稳定性,同时具备快速的响应能力以应对瞬态变化。该齐纳二极管还具有较低的反向漏电流,在未达到击穿电压时能够有效限制电流流动,减少对电路的干扰。
此外,MMBZ5221BTW_R1_00001 的制造工艺确保了其良好的长期稳定性,适用于需要长时间保持精确电压参考的电子设备。该器件广泛用于模拟电路、电源管理模块、电池供电设备以及各种便携式电子产品中,作为电压调节和参考源的核心元件。
MMBZ5221BTW_R1_00001 主要用于需要稳定参考电压的场合,如电源电压调节器、电压监测电路、ADC和DAC参考源、电池管理系统、工业控制设备、测试和测量仪器等。由于其小尺寸和优良的电气性能,它也非常适合用于便携式电子设备、汽车电子系统和消费类电子产品中。在保护电路中,该器件可用于限制电压波动,防止敏感电子元件受到损坏。此外,它还可用于温度补偿电路、低功耗传感器接口以及精密放大器电路中的偏置电压设置。
MMBZ5221B, MMSZ5221B, 1N4728A, BZX84-C2V4