时间：2025/5/13 11:03:49
阅读：5
MMBZ18VALT1G是一款小型表面贴装(SMD)的瞬态电压抑制二极管(TVS)，主要用于保护敏感电子电路免受过电压瞬变的影响，如静电放电(ESD)、雷击浪涌和开关噪声等。该器件具有低电容特性，非常适合高速数据线路和射频(RF)应用。其封装形式为SOT-23，能够在不显著增加电路板空间的情况下提供强大的保护功能。
最大反向工作电压：18V
击穿电压：19.4V
最大峰值脉冲电流：57A
箝位电压：29.6V
结电容：0.4pF
响应时间：1ps
漏电流：1μA（在最大反向工作电压下）
封装：SOT-23
MMBZ18VALT1G具备快速响应时间，能够有效地抑制瞬态电压尖峰，保护后端电路不受损害。其超低电容设计使其成为高速信号线路的理想选择，不会对信号完整性造成影响。
此外，该器件符合RoHS标准，环保无铅，并具有高可靠性，能够在恶劣环境下长时间稳定工作。它的典型应用场景包括USB接口、HDMI接口、以太网端口以及其他高速数据传输线路的保护。
该元器件广泛应用于消费类电子产品、通信设备、工业控制以及汽车电子等领域。具体应用包括手机和笔记本电脑的充电接口保护、网络交换机和路由器的以太网端口防护、工业自动化设备中的信号线保护以及汽车信息娱乐系统的高速数据链路防护等。
PESD18VB1LS
PESD18VL1BT
SMBJ18A
