MMBZ18VAL/DG 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的表面贴装硅稳压二极管(Zener Diode),采用SOD-123封装。该器件设计用于提供稳定的参考电压,广泛应用于电压调节、电路保护和参考电压源等场景。其额定稳压电压为18V,适用于需要中等功率稳压功能的电子系统。
类型:硅稳压二极管
封装形式:SOD-123(表面贴装)
稳压电压(Vz):18V @ 测试电流(Iz)= 5mA
最大耗散功率(Pd):300mW
最大工作电流(Izmax):150mA
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
存储温度范围:-55°C ~ +150°C
结电容(Cj):约10pF @ Vr=0V
反向漏电流(Ir):≤ 100nA @ VR=16V
MMBZ18VAL/DG具备良好的稳压精度和温度稳定性,适用于多种通用稳压应用。
其SOD-123封装结构紧凑,便于在PCB上布局,适合高密度电路设计。
该器件具有较低的动态阻抗(Zz),可在负载变化时保持输出电压的稳定性。
反向恢复时间较短,具有一定的高频响应能力,适用于中频电路中的稳压或钳位功能。
此外,MMBZ18VAL/DG具有良好的热稳定性和可靠性,适用于工业控制、消费电子、通信设备等多种应用场景。
其封装符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,适用于现代绿色电子制造流程。
该稳压二极管常用于电源管理电路中作为参考电压源或电压钳位元件。
在模拟电路中用于提供稳定的偏置电压,例如在运算放大器、比较器或ADC/DAC电路中。
也可用于过压保护电路,防止敏感器件因电压波动而损坏。
在DC-DC转换器或LDO稳压器中,用于反馈回路的电压参考点。
此外,它还适用于仪表测量、传感器信号调理、LED驱动电路等对电压精度有一定要求的场合。
MMBZ18VAT1G, MMSZ18VAL, 1N4746A, 1SMA4746A