型号：MMBZ15VALFHT116
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　封装类型：SOD-123FL
　　齐纳电压（Vz）：15 V @ 5 mA
　　容差：±5%
　　最大耗散功率：200 mW
　　最大反向漏电流：1 μA @ 12 V
　　动态阻抗（Zzt）：45 Ω @ 5 mA
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　结温（Tj）：+150°C
　　安装类型：表面贴装（SMT）
　　引脚数：2
　　湿度敏感等级（MSL）：1（260°C，无限时间）

MMBZ15VALFHT116具备优异的电气特性和热稳定性，能够在宽温度范围内保持稳定的齐纳电压输出。其标称齐纳电压为15V，在测试电流IZT = 5mA条件下，电压容差控制在±5%以内，确保了在精密稳压应用中的准确性。该器件的动态阻抗典型值为45Ω，这一较低的阻抗意味着在负载变化时能有效抑制电压波动，提高系统的响应能力和稳定性。同时，其反向漏电流在低于击穿电压的工作条件下非常小（最大1μA @ 12V），减少了待机状态下的功耗，特别适合电池供电或低功耗应用场景。
　　该齐纳二极管的最大连续功率耗散为200mW，结合SOD-123FL封装良好的散热设计，可在较高环境温度下长期可靠运行。其工作结温范围可达+150°C，存储温度范围也为-55°C至+150°C，表现出卓越的环境适应能力，适用于高温工业环境或发动机舱附近的车载电子系统。器件还具备良好的瞬态响应能力，可用于吸收短暂的电压尖峰，实现一定程度的过压保护功能。
　　MMBZ15VALFHT116通过AEC-Q101认证，表明其在可靠性测试（如高温反偏、温度循环、高压蒸煮等）中表现达标，适合用于汽车电子控制系统，如ECU、传感器模块、车载充电器等。此外，该器件采用无铅锡镀层和绿色塑封材料，符合RoHS和无卤素要求，满足现代电子产品对环保法规的合规需求。SOD-123FL封装尺寸紧凑（约2.7mm x 1.6mm x 1.1mm），便于自动化贴片生产，提升了制造效率。总体而言，该器件集小型化、高可靠性、环保合规于一体，是现代电子设计中理想的电压参考与稳压解决方案之一。

MMBZ15VALFHT116广泛应用于各类需要稳定参考电压或进行电压钳位的电子电路中。在电源管理系统中，它常被用作反馈环路中的基准源，帮助调节DC-DC转换器或LDO的输出电压。由于其15V的齐纳电压适中，也可用于为某些模拟集成电路提供偏置电压或保护输入端免受过压冲击。在信号调理电路中，该器件可作为电平钳位元件，防止因瞬态电压过高而导致后续电路损坏，例如在通信接口（如RS-232、CAN总线）中起到ESD和浪涌保护作用。
　　在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，MMBZ15VALFHT116因其小型封装和低漏电流特性，常用于电池电压监测模块或充电管理IC周边的稳压单元。在工业控制领域，该器件可用于PLC模块、传感器信号调理板和隔离电源的辅助稳压部分，确保关键节点电压稳定。此外，在汽车电子系统中，得益于其通过AEC-Q101认证，该齐纳二极管被广泛部署于车身控制模块、车载信息娱乐系统、ADAS传感器供电网络等场景，承担电压参考、电源监控和线路保护等功能。
　　在LED驱动电路中，它可以作为开路保护或反馈电压限制元件，防止异常工况下电压失控。在测试与测量仪器中，该器件可用于构建精确的电压基准点，提升测量精度。总之，凭借其可靠的性能和广泛的适用性，MMBZ15VALFHT116已成为多种电子系统中不可或缺的基础元器件之一。

MMBZ15VASEN
　　PMBZ15VAL,115
　　SZBZD27-15-E3-08
　　MM3Z15VT1G