时间：2025/12/26 8:42:27
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MMBZ15VAL-7-F是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装硅瞬态电压抑制二极管（TVS二极管），专为保护敏感电子电路免受瞬态电压尖峰和静电放电（ESD）事件的影响而设计。该器件采用SOD-123封装，具有紧凑的尺寸和优良的热性能，非常适合在空间受限的应用中使用。MMBZ15VAL-7-F属于齐纳型TVS二极管，能够在反向击穿电压达到阈值时迅速导通，将过压钳位于安全水平，从而保护下游电路。其标称击穿电压为16.7V，最大反向关断电压为15V，能够承受高达500W的峰值脉冲功率（依据IEC 61000-4-2标准）。该器件广泛应用于便携式消费类电子产品、通信设备、工业控制系统以及汽车电子等领域，适用于电源线、数据线和I/O端口的过压保护。
MMBZ15VAL-7-F符合RoHS指令要求，并具有无卤素、绿色环保的特点。其SOD-123封装支持自动化贴片工艺，便于大规模生产组装。此外，该TVS二极管具备低动态电阻和快速响应时间（通常小于1ps），可在纳秒级时间内对瞬态过压做出反应，有效防止损坏后级集成电路。由于其单向击穿特性，该器件特别适合用于直流或单极性信号线路的保护场景。
类型：单向TVS二极管
封装：SOD-123
通道数：1
击穿电压（Min）：16.7V
击穿电压（Max）：18.5V
最大反向关断电压（VRWM）：15V
钳位电压（Vc）：24.4V（在测试电流Ipp=9.8A条件下）
峰值脉冲功率（Ppk）：500W（10/1000μs波形）
漏电流（IR）：≤1μA @ VRWM = 15V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
引脚数：2
极性：单向
MMBZ15VAL-7-F具备优异的瞬态电压抑制能力，能够在极端电气环境下提供可靠保护。其核心特性之一是高能量吸收能力，在短时脉冲下可承受高达500W的峰值功率，满足大多数工业和消费类应用中的浪涌防护需求。该TVS二极管采用先进的硅PN结制造工艺，确保了稳定的击穿特性和良好的批次一致性。其低动态阻抗使得在钳位过程中电压上升幅度较小，从而有效限制了传递到被保护器件上的残余电压。此外，该器件具有极低的漏电流（≤1μA），在正常工作状态下几乎不会影响原电路的工作性能，尤其适合低功耗系统设计。
另一个显著特点是其快速响应时间，通常小于1皮秒，远快于传统的过压保护元件如压敏电阻或气体放电管。这种超高速响应使其能够及时应对ESD事件（如人体模型HBM达±30kV）和电快速瞬变脉冲群（EFT）等高频干扰源。SOD-123封装不仅体积小巧（约2.7mm x 1.6mm x 1.1mm），还具备良好的散热性能，有助于在多次浪涌冲击后保持长期稳定性。该器件经过严格测试，符合IEC 61000-4-2（ESD）、IEC 61000-4-4（EFT）和IEC 61000-4-5（雷击浪涌）等多项国际电磁兼容标准，适用于严苛环境下的可靠性要求。此外，其机械强度高，抗振动和冲击能力强，适合车载和工业现场应用。
MMBZ15VAL-7-F常用于各类需要瞬态过压保护的电子系统中，尤其是在接口电路和供电模块中发挥关键作用。典型应用场景包括USB端口、RS-232/RS-485通信线路、GPIO信号线、音频输入/输出接口以及DC电源输入端的ESD和浪涌防护。在智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式设备中，该器件可用于保护主板上的敏感IC免受用户接触带来的静电损伤。在工业自动化领域，它可部署于PLC输入输出卡、传感器接口和远程I/O模块中，以抵御工厂环境中常见的电气噪声和感应雷击。
在汽车电子方面，MMBZ15VAL-7-F适用于车身控制模块、车载信息娱乐系统和辅助驾驶系统的低压供电网络保护。尽管其额定功率有限，不适用于主电源总线的大能量浪涌保护，但在次级电路和局部节点上仍具有重要价值。此外，该TVS也常见于医疗设备、测试仪器和智能家居控制器中，用于提升产品整体的电磁兼容性和使用寿命。由于其符合AEC-Q101可靠性标准的部分验证条件（视具体批次而定），因此也可用于部分车载非动力系统应用。其小型化封装特别适合高密度PCB布局，有助于缩小终端产品的整体尺寸。
SMBJ15A-TR
ZMM15-T18
P6KE15A
SMCJ15AHE3_A/H
