类型：双极性变容二极管
　　封装：SOD-123
　　最大反向电压：20V
　　最大功耗：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　电容比（Cmax/Cmin）：约4.5:1
　　典型电容值（在0V）：约15pF
　　最大电容值（Cmax）：约22pF
　　最小电容值（Cmin）：约5pF
　　结电容温度系数：-0.05%/°C
　　二极管数量：单个

MMBV109T1采用硅基变容二极管结构，具有优异的频率响应特性，适用于高频调谐电路。其SOD-123封装形式便于表面贴装，适用于高密度PCB布局。
　　该器件的电容值随施加的反向电压变化而变化，典型电容范围为5pF至22pF，适用于需要宽调谐范围的应用场景。
　　其工作温度范围为-55°C至+150°C，能够在极端环境条件下稳定工作，适用于工业级和汽车电子应用。
　　MMBV109T1的低功耗特性（最大300mW）使其适用于便携式和低功耗电子设备。
　　该器件具有良好的线性度和稳定性，能够提供可靠的电容调节性能，适用于精密调谐和频率控制电路。
　　MMBV109T1的高可靠性设计和严格的制造标准确保了其在长期使用中的稳定性和一致性。

MMBV109T1广泛应用于射频和微波电路中的调谐和频率控制功能。其典型应用包括无线通信系统中的调谐滤波器、频率合成器、本地振荡器（LO）、射频衰减器以及自动频率控制（AFC）电路。
　　在移动通信基站和射频前端模块中，MMBV109T1可用于实现频率选择和阻抗匹配，提高系统性能和稳定性。
　　在消费类电子产品中，如调频收音机、无线音频设备和Wi-Fi模块，该变容二极管可用于实现频率调谐和信道选择功能。
　　在工业和汽车电子系统中，MMBV109T1可用于射频识别（RFID）读写器、远程通信模块和无线传感器网络中的调谐电路。
　　此外，该器件还可用于测试与测量设备中的可调谐滤波器和信号发生器，以实现精确的频率控制和信号处理。

BB109S, BB112, MMBV104T1, FMMT109