类型：NPN晶体管阵列
　　集电极-发射极电压（Vce）：100V
　　集电极电流（Ic）：最大100mA
　　功率耗散（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　增益（hFE）：最小值110（不同电流条件分级）
　　过渡频率（fT）：250MHz
　　封装形式：SOT-23

MMBTSA1162 的主要特性之一是其内部集成了两个高性能的NPN晶体管，这使得在需要多个晶体管的电路设计中可以节省空间并简化布局。每个晶体管都具有高电流增益（hFE），确保在各种放大和开关应用中表现出色。该器件的过渡频率（fT）高达250MHz，支持高速操作，适用于高频开关和信号处理电路。
　　此外，MMBTSA1162 提供了低饱和电压（VCE(sat)），这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。其SOT-23封装形式非常适用于表面贴装技术（SMT），并且具备良好的热稳定性和机械可靠性。
　　该晶体管阵列的工作温度范围宽，从-55°C到150°C，适用于工业级和汽车电子等对环境温度要求较高的应用场景。MMBTSA1162 还具备优异的抗静电能力，增强了器件在实际使用中的可靠性。

MMBTSA1162 通常应用于需要多个NPN晶体管的电路中，如数字逻辑电路、缓冲器、驱动器、信号放大器以及各种开关电路。在消费类电子产品中，它可以用于LED驱动、继电器控制和电源管理模块。由于其高频特性，MMBTSA1162 也常用于射频（RF）前端电路、无线通信模块和传感器接口电路。
　　在工业自动化和控制系统中，该器件可用于控制继电器、电机和指示灯等负载。此外，MMBTSA1162 还适合用于汽车电子系统，如车身控制模块（BCM）、车载娱乐系统和传感器接口，其宽温度范围和高可靠性使其能够适应严苛的汽车环境。

BC847系列, MMBT3904, 2N3904, MMBTSA1161