时间：2025/5/13 11:26:02
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MMBTH10LT1G 是一款 NPN 型硅双极晶体管，采用 SOT-23 封装形式。它具有低饱和电压、高增益和快速开关特性，适用于各种低功率放大和开关应用。该晶体管广泛用于消费电子、通信设备以及工业控制领域。
其设计使得它能够在高频条件下提供稳定的性能表现，同时保持较低的功耗。
集电极-发射极击穿电压（VCEO）：40V
集电极电流（IC）：150mA
直流电流增益（hFE）：100（最小值，在 IC=150mA 时）
最大工作结温（TJ）：150°C
存储温度范围：-65°C 至 150°C
封装类型：SOT-23
电源电压范围：最高支持 40V
MMBTH10LT1G 晶体管具备以下显著特点：
1. 高增益性能，确保在弱信号放大的情况下依然能够提供出色的线性输出。
2. 低饱和压降，可有效降低功率损耗并提升效率。
3. 快速开关速度，适合高频开关应用场景。
4. 稳定的工作温度范围，使其适应多种环境条件下的使用需求。
5. 小型化封装（SOT-23），有助于节省电路板空间，非常适合便携式设备及高密度 PCB 设计。
这款晶体管适用于以下场景：
1. 开关电路中的驱动元件，例如小型继电器或 LED 驱动。
2. 音频信号放大器中的增益级或缓冲级。
3. 脉宽调制（PWM）控制器中的开关器件。
4. 各类保护电路中的过流检测与保护元件。
5. 工业自动化控制中的传感器接口和信号处理部分。
MMBT3904LT1G, MMBT2222ALT1G
