时间：2025/8/13 13:30:06
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MMBTH102T1G是一款由ON Semiconductor生产的双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。这款晶体管设计用于高频和低噪声放大应用，具有良好的线性性能和高可靠性。MMBTH102T1G采用SOT-23封装，适合在需要高性能和小尺寸的应用中使用。
类型：NPN型晶体管
最大集电极-发射极电压（VCEO）：25V
最大集电极电流（IC）：100mA
最大功率耗散（PD）：300mW
电流增益（hFE）：在2mA时为110至800
过渡频率（fT）：250MHz
工作温度范围：-55°C至150°C
MMBTH102T1G晶体管具有多个显著特性，使其在高频应用中表现出色。首先，其高过渡频率（fT）达到250MHz，使得该晶体管非常适合用于高频放大器和射频电路。其次，晶体管的电流增益（hFE）范围广泛，从110到800，这使得它在不同应用中具有良好的灵活性和适应性。
此外，MMBTH102T1G的封装形式为SOT-23，这是一种小型表面贴装封装，适合现代电子设备的小型化设计。该封装还提供了良好的热性能，确保晶体管在高电流操作时的稳定性。
晶体管的最大集电极-发射极电压为25V，最大集电极电流为100mA，能够在相对较高的电压和电流条件下工作，适用于多种中等功率应用。最大功率耗散为300mW，进一步确保了其在较高负载条件下的可靠性。
MMBTH102T1G的工作温度范围从-55°C到150°C，表现出良好的温度稳定性和广泛的工作环境适应能力。这种宽温度范围使得该晶体管在工业和汽车应用中尤为受欢迎。
MMBTH102T1G晶体管广泛应用于高频放大器、射频电路、低噪声放大器以及各种中等功率电子设备中。由于其高频率性能和良好的线性特性，该晶体管常用于通信设备、音频放大器和传感器电路中。此外，其小型SOT-23封装也使其成为便携式电子产品和表面贴装设计的理想选择。
BCX70G, PN2222A
