MMBTH10 3EM 是一款 NPN 型号的高频、高增益硅双极型晶体管,广泛应用于射频 (RF) 放大器和混频器电路。该晶体管设计用于要求高性能和稳定性的高频应用,例如无线通信设备、雷达系统和其他需要高频率和低噪声特性的场景。
MMBTH10 的封装形式为 SOT-363(SC-89),具有小型化、节省空间的特点,适合于对尺寸有严格限制的电子产品设计。
集电极-发射极电压:25V
集电极电流:150mA
直流电流增益(hFE):100
特征频率(fT):7GHz
最大功耗:150mW
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
MMBTH10 具有高增益和低噪声系数,在高频条件下表现出优异的性能。其主要特点包括:
1. 高截止频率(fT)达 7GHz,适用于高频放大器设计。
2. 小信号增益高,适合低功率射频应用。
3. 稳定性好,能够承受较宽的工作温度范围。
4. 封装体积小,便于集成到紧凑型电路中。
5. 良好的线性度和匹配性能,适合用作混频器或振荡器的核心元件。
MMBTH10 主要用于以下领域:
1. 射频放大器设计,特别是低噪声放大器(LNA)。
2. 混频器和振荡器电路中的核心元件。
3. 高速开关电路。
4. 短距离无线通信模块。
5. 雷达系统和其他高频电子设备。
MMBTA10, MMBTH11