类型：NPN晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大集电极电流（IC）：200mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　最大工作温度：150°C
　　封装类型：SOT-23
　　电流增益（hFE）：110至800（取决于工作电流）
　　频率响应：250MHz（典型值）

MMBTH10-3E 是一款性能稳定、应用广泛的NPN晶体管，具有出色的高频响应和低饱和压降，适合用于高速开关和信号放大。其电流增益范围较宽（110至800），可根据不同的工作电流选择合适的增益等级，从而优化电路性能。
　　此外，该晶体管的最大集电极电流为200mA，最大集电极-发射极电压为50V，具备较高的耐压能力和负载驱动能力，适用于多种中低功率电路应用。
　　采用SOT-23封装，使得MMBTH10-3E在PCB上占用空间小，便于自动化生产和高密度布局，同时具备良好的热性能和机械稳定性。
　　MMBTH10-3E 还具有较低的噪声系数和良好的线性度，适用于射频（RF）放大、数字开关电路、逻辑电平转换以及各类驱动电路等场景。

MMBTH10-3E 主要用于以下类型的电子电路和系统中：
　　1. **开关电路**：如LED驱动、继电器控制、电源管理等，利用其快速开关特性实现高效控制。
　　2. **信号放大**：在音频放大器、传感器信号调理、前置放大电路中作为放大元件，提供稳定的增益和低失真。
　　3. **射频电路**：在低频至UHF频段的射频信号放大和混频电路中使用，得益于其较高的频率响应和稳定性。
　　4. **数字逻辑电路**：用于电平转换、缓冲器和驱动器电路，连接不同电压域的数字信号。
　　5. **工业控制和消费电子**：如家电控制板、电源适配器、通信模块等，因其可靠性和性价比而被广泛采用。

2N3904, BC847, PN2222A, MMBT3904