MMBTA92LT1 2D 是一种常用的PNP型双极性晶体管(BJT)阵列器件,广泛应用于通用放大和开关电路中。该晶体管采用SOT-23(SC-59)小型封装,适用于高密度印刷电路板设计。MMBTA92LT1 2D由两个独立的PNP晶体管组成,每个晶体管都具有相似的电气特性,便于在需要多个相同功能的电路中使用。该器件由安森美半导体(ON Semiconductor)制造,具有良好的稳定性和可靠性。
晶体类型:PNP型双极性晶体管(BJT)
封装类型:SOT-23(SC-59)
最大集电极-发射极电压(VCEO):30V
最大集电极电流(IC):100mA
最大功耗(PD):300mW
最大工作温度:150°C
电流增益(hFE):范围通常为60至600,依据不同档位分类
频率响应:250MHz(最小值)
安装类型:表面贴装
引脚数:3个引脚(每个晶体管)
数量:2个晶体管(双路)
MMBTA92LT1 2D 作为一种高性能的双晶体管阵列器件,具备多项关键特性。首先,其双路PNP晶体管设计使得在同一封装中实现多个独立放大或开关功能成为可能,从而节省了PCB空间并降低了设计复杂度。每个晶体管的电流增益(hFE)具有多个档位选择,范围从60到600,能够满足不同应用对放大倍数的需求。
该器件的最大集电极-发射极电压为30V,最大集电极电流为100mA,适用于低功率放大和数字开关应用。其高频响应可达250MHz,确保在高速开关和射频应用中的稳定性。此外,该晶体管的封装采用SOT-23(SC-59)形式,具有良好的热稳定性和机械强度,适用于自动化贴片生产工艺。
MMBTA92LT1 2D的高可靠性和宽泛的工作温度范围(最高可达150°C)使其适用于各种工业和消费类电子设备。其低功耗设计(最大功耗300mW)也有助于延长电池供电设备的使用寿命。
MMBTA92LT1 2D 通常用于需要多个PNP晶体管的电子电路设计中,常见应用包括低功率放大器、数字开关、逻辑电平转换、LED驱动电路、传感器接口、音频放大器前置级等。由于其高频特性,该器件也可用于射频(RF)信号处理和调制电路。在工业控制和自动化系统中,MMBTA92LT1 2D 常用于驱动继电器、小型电机和光耦合器等负载。此外,它也适用于消费类电子产品,如便携式音频设备、电源管理模块和嵌入式控制系统。
MMBTA92, MMBT2907A, BC807, BC847, PN2907