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MMBTA56LT1G 发布时间 时间:2025/4/29 15:49:34 查看 阅读:11

MMBTA56LT1G是一种NPN型的小信号晶体管,广泛用于高频放大、开关电路以及无线通信领域。该晶体管采用了-323封装),具有小型化、高性能和高可靠性的特点。其出色的增益特性和低噪声性能使其成为众多射频及音频应用的理想选择。

参数

集电极-发射极电压(Vce):30V
  集电极电流(Ic):200mA
  直流电流增益(hFE):75~350
  功率耗散(Ptot):315mW
  过渡频率(fT):900MHz
  工作温度范围:-55℃~150℃

特性

1. 高频响应能力,非常适合射频和无线通信应用。
  2. 小尺寸SOT-323封装,节省PCB空间,便于自动化装配。
  3. 低噪声系数,确保信号的高质量传输。
  4. 宽广的工作温度范围,适应多种恶劣环境下的使用需求。
  5. 稳定的电气性能,提供可靠的开关和放大功能。
  6. 符合RoHS标准,环保且适合现代电子产品设计需求。

应用

1. 射频及中频放大器中的增益级。
  2. 高速开关电路,如数据通信设备中的信号切换。
  3. 无线模块、蓝牙模块及其他短距离无线通信设备。
  4. 音频前置放大器,适用于便携式音频设备。
  5. 各种消费类电子产品的控制电路,例如家用电器 工业控制和汽车电子中的信号调节与处理。

替代型号

MMBT2222A, MMBT2222, 2SC1815

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MMBTA56LT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)500mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)80V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)250mV @ 10mA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)100nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 100mA,1V
  • 功率 - 最大225mW
  • 频率 - 转换50MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MMBTA56LT1GOSMMBTA56LT1GOS-NDMMBTA56LT1GOSTR