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MMBTA55LT1G 发布时间 时间:2025/6/3 18:39:10 查看 阅读:3

MMBTA55LT1G是一种SOT-323封装的小信号NPN晶体管,适用于各种低功率放大和开关应用。该晶体管具有低噪声、高增益的特性,适合在高频条件下工作。其小型化设计使其非常适合用于对空间要求较高的电路设计中。

参数

集电极最大电流:0.1A
  集电极-发射极击穿电压:30V
  发射极-基极击穿电压:5V
  直流电流增益(hFE):100至400
  总功耗:125mW
  最高工作温度:150℃
  最低工作温度:-55℃

特性

MMBTA55LT1G晶体管具有优异的高频性能,其截止频率高达800MHz,这使得它非常适合用于射频电路。此外,其低噪声特性和高电流增益保证了在信号放大部分能够提供高质量的输出。
  由于采用了SOT-323表面贴装封装,这种晶体管不仅节省空间,还便于自动化生产装配。同时,其小尺寸和较低的热阻确保了在高温环境下的稳定运行。
  此外,该晶体管符合RoHS标准,环保无铅,满足现代电子产品的环保要求。

应用

MMBTA55LT1G广泛应用于便携式电子产品、无线通信设备、音频放大器以及各种开关电路中。具体应用场景包括:
  - 射频信号放大
  - 音频信号处理
  - 开关电路中的驱动元件
  - 移动电话和其他无线设备中的信号调节
  - 稳压器电路中的辅助放大元件

替代型号

MMBT3904
  2N3904
  BC847

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MMBTA55LT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)500mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)60V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)250mV @ 10mA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)100nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 100mA,1V
  • 功率 - 最大225mW
  • 频率 - 转换50MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MMBTA55LT1GOSMMBTA55LT1GOS-NDMMBTA55LT1GOSTR