晶体管类型：NPN
　　封装类型：SOT-23
　　最大集电极-发射极电压(Vceo)：30V
　　最大集电极电流(Ic)：100mA
　　最大功率耗散(Pd)：300mW
　　增益带宽积(ft)：100MHz
　　电流增益(hFE)：在2mA时为110-800（根据等级不同）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

MMBTA42(1D)的主要特性之一是其优异的高频性能，这使其非常适合用于射频放大器、中频放大器以及高速开关应用。该晶体管的增益带宽积为100MHz，意味着在高频下仍能保持较高的增益，适用于需要快速响应的电路设计。
　　此外，MMBTA42(1D)采用了SOT-23封装，体积小巧，适合高密度电路板设计。该封装还提供了良好的热性能，确保晶体管在较高电流下仍能稳定工作。晶体管的最大集电极电流为100mA，最大集电极-发射极电压为30V，使其在多种低功率应用中具有广泛适用性。
　　MMBTA42(1D)的电流增益（hFE）范围较宽，通常在2mA测试电流下，hFE值可以从110到800不等。这种灵活性允许设计者根据具体需求选择合适的晶体管等级。此外，该晶体管的工作温度范围宽，从-55°C到+150°C，能够适应各种环境条件。

MMBTA42(1D)通常用于射频（RF）和中频（IF）放大器、高速开关电路、音频放大器前置级以及数字逻辑电路中的驱动和开关功能。由于其高频响应和紧凑的封装，它广泛应用于通信设备、消费电子产品、工业控制系统和测试测量仪器。
　　在射频应用中，MMBTA42(1D)可以作为低噪声放大器（LNA）或混频器的一部分，提供高增益和低失真。在数字电路中，它常用于驱动LED、继电器、小型电机和其他外围设备。此外，该晶体管也可用于音频放大器的前置级，提供高输入阻抗和良好的增益匹配。
　　由于其SOT-23封装的紧凑性和优异的热性能，MMBTA42(1D)也适用于需要高可靠性和空间受限的便携式电子设备。

MMBT3904, 2N3904, BC847, PN2222A