类型：双N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：100mA（每个通道）
　　最大漏-源电压（VDS）：20V
　　最大栅-源电压（VGS）：±12V
　　导通电阻（RDS(on)）：1.5Ω @ VGS=4.5V
　　阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：SOT-363

MMBT7002DW具备多项优异特性，使其在低功率应用中表现出色。首先，其双N沟道MOSFET结构允许在单个SOT-363封装中集成两个独立的开关，显著减少PCB面积并简化电路布局。该器件的低导通电阻（RDS(on)）确保在导通状态下具有较低的功耗，从而提高整体能效。
　　此外，MMBT7002DW的栅极驱动电压范围宽泛，支持4.5V至12V的VGS操作，使其适用于多种控制电路。其较高的开关速度和较低的输入电容（Ciss）有助于减少开关损耗，并提升系统响应速度。该器件的热稳定性良好，在高环境温度下仍能保持可靠运行。
　　在可靠性方面，MMBT7002DW具备良好的ESD保护能力，能够承受一定的静电冲击而不损坏。其采用无铅封装，符合RoHS和REACH环保标准，适合绿色电子产品的设计需求。

MMBT7002DW广泛应用于需要高效、小型化和低功耗控制的电子系统中。常见的应用包括便携式电子产品中的负载开关控制、电池管理系统中的充放电路径管理、小型电机或继电器的驱动电路，以及LED背光或照明系统的调光控制。
　　由于其双MOSFET结构和SOT-363的小型封装，MMBT7002DW特别适合空间受限的便携设备，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和无线耳机等。它也可用于工业控制系统中的传感器驱动、低功率DC-DC转换器中的同步整流开关以及嵌入式系统中的外围设备电源管理。
　　此外，MMBT7002DW的低功耗和高开关速度特性使其成为无线充电系统、电池供电设备和节能型电源转换器的理想选择。

Si2302DS、DMG2004UFG、FDV303N、2N7002KW、FDMC7680