时间：2025/8/1 18:18:51
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MMBT6517LT3G是一款由安森美半导体（onsemi）制造的双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。该器件采用SOT-23（TO-236）封装，适合用于高频放大和开关应用。MMBT6517LT3G以其高电流增益（hFE）和低饱和电压（VCE(sat)）著称，能够在高频条件下保持良好的性能。这款晶体管广泛应用于无线通信、音频放大器、逻辑电路以及电源管理电路中。该器件符合RoHS标准，属于无铅环保封装。
类型：NPN晶体管
最大集电极电流（IC）：100mA
最大集电极-发射极电压（VCE）：25V
最大集电极-基极电压（VCB）：30V
最大功耗（PD）：300mW
电流增益（hFE）：110至800（取决于测试条件）
频率响应（fT）：100MHz
封装类型：SOT-23（TO-236）
MMBT6517LT3G晶体管具备优异的高频性能，适用于高达100MHz的信号放大和开关操作。其hFE值范围广泛，从110到800，使得它能够适应不同的电路设计需求。此外，该晶体管的低饱和电压（VCE(sat)）在最大工作电流下通常低于300mV，这有助于减少功耗和提高能效。
该器件的SOT-23封装体积小巧，便于在紧凑型电路设计中使用，同时提供了良好的热性能，确保器件在高负载条件下仍能稳定运行。此外，MMBT6517LT3G具有较高的可靠性，适用于汽车电子、工业控制和消费类电子产品中的各种应用。
由于其符合RoHS标准和无铅封装，该晶体管满足现代电子制造中对环保材料的要求，适合大规模生产和使用。
MMBT6517LT3G主要应用于以下领域：高频放大器电路，用于射频（RF）信号放大和调制解调；开关电路，用于控制LED、继电器和小型电机等负载；音频放大器中的前置放大级，用于提高信号强度；数字电路中的逻辑电平转换和缓冲器设计；便携式电子设备的电源管理电路，以提高能效和延长电池寿命。此外，该晶体管也常用于工业自动化控制系统、汽车电子模块和消费类电子产品中的通用放大和开关应用。
MMBT3904LT1G, BC847B, 2N3904
