时间：2025/5/10 16:09:27
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MMBT5551W 是一种常见的 NPN 型硅晶体三极管，广泛应用于各种电子电路中。该型号是 SOT-23 封装的小信号晶体管，具有较高的增益和较低的噪声特性，适用于高频放大器、射频电路及各类开关应用。MMBT5551W 的设计旨在提供稳定的性能以及良好的散热能力，同时其小型化封装使其非常适合空间受限的设计场景。
集电极-发射极电压（VCEO）：30V
集电极电流（IC）：150mA
直流电流增益（hFE）：最小值 110，最大值 425
功率耗散（PD）：340mW
过渡频率（fT）：300MHz
存储温度范围：-65℃ 至 +150℃
工作结温范围：-65℃ 至 +150℃
MMBT5551W 属于小信号三极管，其主要特点包括高增益和高频响应能力。它的 SOT-23 封装形式使得它在体积上非常小巧，适合便携式设备或需要高密度集成的应用场合。此外，该型号具有低饱和电压和快速开关速度，这使其非常适合高频放大器、混频器、振荡器以及其他射频相关电路。
与传统的 TO-92 或 TO-18 封装相比，SOT-23 封装提供了更好的热性能和电气性能，同时还减少了寄生电感和电容的影响，进一步增强了高频下的稳定性。
由于 MMBT5551W 的高增益和低噪声特性，它也常用于音频前置放大器等对信号质量要求较高的场合。
MMBT5551W 可以应用于多种场景，包括但不限于以下领域：
1. 高频小信号放大器
2. 射频模块中的混频器和振荡器
3. 开关电源中的驱动级
4. 数字逻辑缓冲器
5. 音频前置放大器
6. 脉冲调制和解调电路
7. 无线通信设备中的低噪声放大器
其高增益和低噪声特性使它成为许多高性能电路的理想选择。
2N5551, MMBT3904, BC847
