晶体管类型：NPN
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：150V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：200mW
　　频率响应（fT）：100MHz
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：在IC=2mA时，典型值为80至600（根据等级不同）
　　封装类型：SOT-23

MMBT5551 L晶体管具有多种电气和机械特性，使其适用于广泛的电子设计。首先，该晶体管的最大集电极-发射极电压为150V，这使其适用于较高电压的开关应用。其次，最大集电极电流为100mA，虽然不是大功率晶体管，但在低功率放大和信号处理方面表现良好。其最大功耗为200mW，能够在相对紧凑的空间内处理合理的功率水平。
　　频率响应方面，MMBT5551 L具有100MHz的增益带宽积，使其适用于中高频放大电路。电流增益（hFE）根据不同的等级分为多个范围，典型值在80到600之间，这意味着它可以在不同的电路设计中提供适当的放大能力。例如，在低噪声前置放大器或数字开关电路中，该晶体管能够提供稳定的增益和较低的失真。
　　此外，MMBT5551 L采用SOT-23封装，这是一种小型表面贴装封装，适合高密度电路板设计，并且具有良好的热稳定性和机械强度。这种封装形式也简化了自动化生产和维修过程。

MMBT5551 L晶体管通常用于通用放大和开关电路。在放大应用中，它可以用于音频前置放大器、射频（RF）放大器和运算放大器的外围电路。由于其高频响应特性，该晶体管也常用于通信设备中的信号处理电路。在开关应用中，MMBT5551 L可用于控制小型继电器、LED指示灯以及数字电路中的信号切换。
　　此外，该晶体管还可用于电源管理电路，如DC-DC转换器中的开关元件。由于其能够承受相对较高的电压，它也常用于高压开关应用，例如荧光灯驱动电路和高压传感器接口。在工业控制系统中，MMBT5551 L可用于信号调节和逻辑控制电路。

MMBT5550, MMBT2222, BC547, PN2222, 2N3904