时间：2025/8/17 4:04:40
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MMBT5551 G1是一款常见的NPN型高频晶体管，广泛应用于射频和放大电路中。该晶体管采用SOT-23封装，适用于需要高频操作和低噪声放大的场景。MMBT5551 G1是工业级型号，具有良好的稳定性和可靠性。
类型：NPN型晶体管
封装类型：SOT-23
最大集电极电流：100 mA
最大集电极-发射极电压：150 V
最大集电极-基极电压：150 V
最大功耗：300 mW
最大工作温度：150°C
增益带宽积：100 MHz
电流增益（hFE）：在Ic=2 mA时为80-600（根据不同等级）
MMBT5551 G1具有优异的高频性能，适合用于射频放大器和开关电路。其SOT-23封装使其适用于表面贴装技术，节省电路板空间。
此外，该晶体管具有低噪声特性，适用于前置放大器和其他需要高信号完整性的应用。
MMBT5551 G1的多级增益选项（根据hFE分级）使其能够灵活匹配不同的设计需求。
由于其高击穿电压特性，该器件在高压开关应用中表现出色，能够在较宽的电压范围内稳定运行。
该晶体管还具备良好的热稳定性和较高的可靠性，适用于工业和汽车电子系统。
MMBT5551 G1常用于射频放大器、前置放大器、音频放大器、开关电路以及需要高频操作的电子设备中。它也广泛应用于通信设备、传感器接口电路和便携式电子产品中。
2N5551, MMBT3904, PN2222A
