MMBT5401G-B-AE3-R是一款NPN型硅三极管,属于SOT-23封装的小信号晶体管。该器件通常用于高频、低噪声和小信号放大应用中,其性能稳定且可靠。由于采用了先进的制造工艺,该型号具有较低的噪声系数和较高的电流增益,适合于各种消费类电子产品、通信设备以及工业控制领域。
集电极-发射极击穿电压(Vce):60V
集电极最大连续电流(Ic):200mA
直流电流增益(hFE):110~425
集电极-基极反向饱和电流(Icbo):50nA
工作结温范围(Tj):-55℃~150℃
功率耗散(Ptot):315mW
存储温度范围:-65℃~150℃
MMBT5401G-B-AE3-R的主要特性包括高增益、低噪声、快速开关能力及较小的封装尺寸。
SOT-23封装使其非常适合空间受限的应用场景。
该器件具有较宽的工作温度范围,能够适应恶劣环境下的使用需求。
此外,其低反向电流确保了在高频条件下的优良表现。
此三极管还具备良好的一致性和可靠性,适用于大批量生产环境。
该型号三极管广泛应用于各种电子电路中,常见的应用场景包括:
音频信号放大器中的前置放大级。
射频(RF)和无线通信设备中的低噪声放大器。
便携式设备中的开关电路。
工业自动化控制系统中的信号调节电路。
电源管理模块中的驱动电路部分。
MMBT5401
2SC5401
BC847C