MMBT5401-G是一款由ON Semiconductor生产的PNP型双极结型晶体管(BJT),广泛应用于通用开关和放大电路中。该晶体管采用SOT-23封装,具有高性能和可靠性,适用于各种电子设备。
类型:PNP晶体管
集电极-发射极电压(Vceo):150V
集电极电流(Ic):100mA
功率耗散(Pd):300mW
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:SOT-23
MMBT5401-G晶体管具有优异的开关特性和低饱和电压,适合用于高频开关应用。其高电流增益(hFE)确保了良好的信号放大性能,同时具备良好的热稳定性和耐用性。此外,该晶体管的紧凑封装设计使其适用于空间受限的电路板布局。
该器件的制造工艺确保了其在各种环境条件下具有稳定的工作性能,并且符合RoHS环保标准,适用于无铅焊接工艺。
MMBT5401-G常用于数字电路中的开关控制、模拟信号放大、电源管理电路以及各种低功耗电子设备中。其应用领域包括消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等。
2N3906, MMBT3906, PN2907