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MMBT4401WT1G 发布时间 时间:2025/5/13 16:35:24 查看 阅读:5

MMBT4401WT1G 是一款 NPN 型硅晶体三极管,采用 SOT-23 封装。它广泛应用于各种电子电路中,作为开关或放大元件使用。该型号属于 MMBT 系列,具有高频响应和低噪声特性,适用于需要高可靠性和稳定性的场景。
  该晶体管的额定电压和电流参数使其适合于小型信号放大和高速开关应用。SOT-23 封装形式使得它非常适合于空间受限的设计环境。

参数

集电极-发射极击穿电压:30V
  集电极最大电流:200mA
  功耗:350mW
  直流电流增益(hFE):110~800
  过渡频率:300MHz
  封装形式:SOT-23

特性

MMBT4401WT1G 具有以下主要特性:
  1. 高频响应能力,过渡频率高达 300MHz,适用于高频信号处理。
  2. 直流电流增益范围宽(110~800),确保其在不同工作条件下的稳定性。
  3. 小型化设计,采用 SOT-23 封装,节省 PCB 空间。
  4. 低噪声性能,适用于音频和射频电路中的小信号放大。
  5. 工作温度范围广(-55°C 至 +150°C),适应恶劣的工作环境。

应用

该晶体管常见于以下应用场景:
  1. 小信号放大器,用于音频设备、无线通信模块等。
  2. 开关电路,如 LED 驱动、继电器控制等。
  3. 高速逻辑电平转换。
  4. 数字电路中的电平驱动和缓冲。
  5. 电源管理电路中的保护和控制功能实现。

替代型号

MMBT4401, 2N4401, BC847B

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MMBT4401WT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)600mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)40V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)750mV @ 50mA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 150mA,1V
  • 功率 - 最大150mW
  • 频率 - 转换250MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装SC-70-3(SOT323)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MMBT4401WT1GOSMMBT4401WT1GOS-NDMMBT4401WT1GOSTR