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MMBT4124LT1G 发布时间 时间:2025/5/20 21:52:28 查看 阅读:32

MMBT4124LT1G是一种NPN型的硅晶体三极管,广泛应用于各类电子电路中,主要用于放大和开关功能。该型号属于表面贴装器件(SMD),采用SOT-23封装形式,具有体积小、可靠性高、散热性能好的特点。MMBT4124LT1G在高频应用场合表现良好,适用于音频放大器、脉冲调制电路以及各种通用电路设计。

参数

集电极-发射极电压(VCEO):60V
  集电极电流(IC):800mA
  功率耗散(Ptot):625mW
  直流电流增益(hFE):最小值100,典型值300
  频率特性(fT):300MHz
  工作温度范围(Tamb):-65℃ 至 +150℃

特性

1. 高增益:具备较高的直流电流增益(hFE),适合用于需要精确控制的放大电路。
  2. 小型化设计:采用SOT-23封装,节省了PCB板空间,非常适合现代小型化电子设备。
  3. 宽工作温度范围:能够适应恶劣的工作环境,确保在极端条件下仍能稳定运行。
  4. 高频性能:拥有高达300MHz的频率特性,适合高频信号处理和射频应用。
  5. 可和测试流程,确保其长期使用的稳定性。

应用

MMBT4124LT1G常见于以下应用领域:
  1. 音频放大器:用作前置放大或驱动级的晶体管。
  2. 开关电路:在电源管理电路中作为开关元件使用。
  3. 脉冲调制电路:用于生成和调节脉冲信号。
  4. 射频电路:由于其高频特性,可以应用于射频模块中的信号放大和处理。
  5. 各类消费电子产品:如手机、平板电脑和其他便携式设备中的信号调节和控制电路。

替代型号

MMBT4401LT1G, MMBT3904LT1G

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MMBT4124LT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)200mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)25V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)120 @ 2mA,1V
  • 功率 - 最大225mW
  • 频率 - 转换300MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MMBT4124LT1G-NDMMBT4124LT1GOSTR