晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极最大电压（Vceo）：40V
　　集电极电流最大值（Ic）：200mA
　　功耗（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：100 @ Ic=2mA, Vce=5V
　　封装类型：SOT-23
　　湿度敏感等级：1
　　存储温度范围：-55°C 至 150°C

MMBT3904T(12K)具有出色的电气特性和稳定性，适合多种应用场景。
　　首先，其较高的电流增益（hFE）使其在小信号放大电路中表现优异，能够在低电流条件下提供良好的放大性能。此外，该晶体管具备快速开关能力，适用于数字电路中的开关应用，如缓冲器、逆变器和驱动电路。
　　其次，该晶体管的集电极-发射极击穿电压（Vceo）为40V，使其在中等电压环境下仍能稳定工作。同时，最大集电极电流可达200mA，足以应对大多数低功耗电路的需求。
　　再者，MMBT3904T(12K)采用SOT-23小型封装，便于在高密度PCB设计中使用，节省空间。其低功耗特性也使其适用于便携式电子设备和电池供电系统。
　　最后，该器件的工作温度范围较宽，适用于工业级应用环境。同时，其封装符合RoHS标准，符合现代电子产品的环保要求。

MMBT3904T(12K)适用于多种电子电路设计。在数字电路中，它常被用作开关晶体管，用于控制LED、继电器、小型电机等负载。由于其高增益特性，也常用于音频放大器、射频放大电路以及传感器信号调理电路。
　　在嵌入式系统和微控制器外围电路中，该晶体管可用于电平转换、缓冲驱动和接口扩展。此外，它还可用于电源管理电路，如DC-DC转换器和负载开关，以实现高效的能量控制。
　　在工业自动化和通信设备中，MMBT3904T(12K)可用于驱动继电器、光耦合器和各种执行机构。由于其可靠性和稳定性，也广泛用于消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备和家用电器。

MMBT3904, BC817, 2N3904, 2N2222A, MMBT2222A