类型：NPN晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大发射极-基极电压（Veb）：5 V
　　最大功耗（Pd）：300 mW
　　直流电流增益（hFE）：110 - 800（取决于测试条件）
　　过渡频率（fT）：100 MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

MMBT28S具有出色的电流放大性能和稳定的开关特性，适用于各种低功率电子电路。其主要特点包括高频率响应、低饱和压降和良好的热稳定性。
　　该晶体管的hFE值范围较宽，允许设计人员根据具体应用需求选择合适的型号。MMBT28S的过渡频率（fT）为100 MHz，使其适用于中高频放大电路。
　　此外，MMBT28S采用SOT-23封装，具有良好的散热性能和机械强度，适合在各种环境条件下工作。其低功耗特性也有助于提高系统的整体能效。
　　在制造工艺方面，MMBT28S采用先进的硅外延工艺，确保了器件的高可靠性和长寿命。它还具有良好的抗静电能力，能够在一定程度上防止静电损坏。

MMBT28S广泛应用于各种电子设备中，主要用于低功率开关和信号放大。典型应用包括：
　　1. 模拟和数字信号放大电路：由于其良好的频率响应和高电流增益，MMBT28S常用于音频放大器、射频放大器和运算放大器的前置级。
　　2. 开关电路：MMBT28S适用于低功率开关应用，如LED驱动、继电器控制和传感器接口电路。
　　3. 电源管理：该晶体管可用于DC-DC转换器、稳压电路和电池管理系统中，实现高效的电源控制。
　　4. 通信设备：在无线通信系统中，MMBT28S可用于射频信号的放大和调制解调电路。
　　5. 工业控制：该晶体管也可用于工业自动化系统中的传感器信号处理和执行器控制电路。

2N3904, BC547, PN2222