类型：NPN双极性晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　最大功耗：300mW
　　最大工作温度：150°C
　　封装形式：SOT-23
　　过渡频率（fT）：250MHz
　　直流电流增益（hFE）：50~300（根据工作条件）
　　噪声系数：4dB（典型值）
　　发射极-基极电压（Vbe）：0.75V（典型值，Ic=10mA）

MMBT2369WT1 具备出色的高频性能和低噪声特性，使其成为射频放大器和高速开关应用的理想选择。
　　该器件的fT（过渡频率）高达250MHz，确保在高频条件下仍能保持良好的增益表现。
　　其SOT-23封装形式不仅节省空间，而且便于表面贴装，适用于现代高密度PCB设计。
　　该晶体管的hFE（直流电流增益）范围为50至300，具体值取决于集电极电流和温度条件，具有良好的线性度和稳定性。
　　此外，MMBT2369WT1具有较低的Vbe（基极-发射极电压），有助于减少基极驱动电流，提高能效。
　　其低噪声系数（典型值为4dB）使其适用于低噪声前置放大器等应用，确保信号的高质量传输。
　　该器件还具有良好的热稳定性和可靠性，符合工业级温度要求，可在-55°C至+150°C范围内正常工作。

MMBT2369WT1 主要用于以下应用场景：
　　1. 射频放大器：适用于无线通信系统中的低噪声前置放大器和中频放大器。
　　2. 高速开关电路：用于数字电路中的高速开关，如缓冲器、驱动器和逻辑电平转换器。
　　3. 振荡器和混频器：在射频和微波电路中用于生成和处理高频信号。
　　4. 信号调理电路：在模拟电路中用于放大和处理微弱信号。
　　5. 便携式电子设备：由于其SOT-23封装和低功耗特性，广泛应用于手机、无线耳机、GPS设备和物联网终端等产品中。

PN2369, 2N3904, BC847, BFQ68, MMBT3904