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MMBT2369LT1 发布时间 时间:2025/5/8 11:13:50 查看 阅读:6

MMBT2369LT1 是一种 NPN 型号的硅双极结晶体管,广泛用于一般的开关和放大应用。该晶体管属于微小型表面贴装器件 (SMD),采用 SOT-23 封装形式,非常适合需要高密度集成和小尺寸设计的电路。MMBT2369LT1 的设计符合 RoHS 标准,具备低饱和电压、高增益以及良好的频率特性,适用于各种消费类电子产品和工业控制领域。

参数

集电极最大电流:100mA
  集电极-发射极击穿电压:40V
  发射极-基极击穿电压:6V
  功率耗散:315mW
  直流电流增益(hFE):最小值100,典型值300
  过渡频率(fT):300MHz

特性

MMBT2369LT1 是一款高性能的 NPN 晶体管,具有以下特点:
  1. 高增益:其直流电流增益 hFE 能够达到 100 至 300 的范围,适合多种放大和开关应用。
  2. 快速切换能力:由于其较高的过渡频率(fT 达到 300 MHz),它在高频应用中表现出色。
  3. 低饱和电压:这使得它在开关应用中的功耗较低。
  4. SOT-23 封装:这种封装形式不仅体积小,而且热性能优良,能够满足现代电子设备对空间和散热的要求。
  5. 环保兼容性:符合 RoHS 标准,无铅设计,适合环保要求严格的场合。

应用

MMBT2369LT1 主要应用于以下领域:
  1. 消费类电子产品中的信号放大和开关功能。
  2. 工业自动化设备中的驱动电路。
  3. 音频放大器的小信号放大阶段。
  4. 各种传感器接口电路。
  5. 移动通信设备中的射频和中频信号处理。
  6. 电源管理模块中的辅助开关元件。

替代型号

MMBT2369,
  2N2222,
  BC337,
  KSP2369

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MMBT2369LT1参数

  • 标准包装10
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)200mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)15V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)250mV @ 1mA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)40 @ 10mA,350mV
  • 功率 - 最大225mW
  • 频率 - 转换-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装剪切带 (CT)
  • 其它名称MMBT2369LT1OSCT