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MMBT2222AWT1G 发布时间 时间:2024/8/16 11:34:06 查看 阅读:142

这些晶体管专为通用放大器应用而设计。它们被封装在SOT-323/SC-70封装中,该封装专为低功耗表面贴装应用而设计。

技术参数

频率:300 MHz
  额定电压(DC):40.0 V
  额定电流:28.0 A
  针脚数:3
  极性:NPN
  耗散功率:150 mW
  击穿电压(集电极-发射极):40 V
  集电极最大允许电流:0.6A
  最小电流放大倍数(hFE):100 150mA,10V
  额定功率(Max):150 mW
  直流电流增益(hFE):300
  工作温度(Max):150℃
  工作温度(Min):-55℃
  耗散功率(Max):150 mW

封装参数

安装方式:Surface Mount
  引脚数:3
  封装:SC-70-3

外形尺寸

长度:2.2 mm
  宽度:1.35 mm
  高度:1 mm
  封装:SC-70-3

物理参数

材质:Silicon
  工作温度:-55℃~150℃(TJ)

符合标准

RoHS标准:RoHS Compliant
  含铅标准:Lead Free
  REACH SVHC标准:No SVHC

其他说明

产品生命周期:Active
  包装方式:Tape&Reel(TR)
  制造应用:车用,工业,电源管理

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MMBT2222AWT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)600mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)40V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1V @ 50mA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 150mA,10V
  • 功率 - 最大150mW
  • 频率 - 转换300MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装SC-70-3(SOT323)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MMBT2222AWT1GOSMMBT2222AWT1GOS-NDMMBT2222AWT1GOSTR