晶体管类型：NPN双极晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　最大工作温度：150°C
　　电流增益（hFE）：35-300（根据不同等级）
　　过渡频率（fT）：250MHz
　　封装类型：SOT-23

MMBT2222A-G具有多项优异特性，使其在多种电子电路中表现出色。首先，该晶体管的高过渡频率（fT）达到250MHz，适合用于高频放大和射频应用。其次，其电流增益范围广泛（hFE为35-300），可以根据不同的电路需求选择合适的等级，提高了设计的灵活性。
　　此外，MMBT2222A-G采用了小型SOT-23封装，占用电路板空间小，便于在高密度PCB设计中使用。该封装还具有良好的热性能，确保晶体管在正常工作条件下能够有效散热，延长器件寿命。
　　该晶体管的最大集电极电流为100mA，集电极-发射极电压和集电极-基极电压均为30V，使其能够承受较高的电压应力，适用于中等功率的开关应用。同时，最大功耗为300mW，确保在不使用散热片的情况下仍能正常运行。
　　MMBT2222A-G的制造工艺成熟，具有良好的一致性和可靠性，适合大批量生产和长期使用。其工作温度范围宽，最高可达150°C，确保在高温环境下仍能稳定运行。

MMBT2222A-G由于其优异的电气性能和紧凑的封装形式，被广泛应用于多个领域。在消费电子产品中，它常用于信号放大、电源管理和逻辑电路的开关控制。例如，在智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，作为低功率开关或信号放大器使用。
　　在工业控制系统中，MMBT2222A-G可用于驱动继电器、LED显示屏、小型电机和其他执行机构。由于其高频响应特性，它也可用于传感器信号放大和处理电路中。
　　在通信设备中，该晶体管适用于射频前端模块、数据传输电路和无线通信系统的信号放大器。其高频性能使其成为低噪声放大器（LNA）的理想选择。
　　此外，MMBT2222A-G还可用于各种嵌入式系统和物联网（IoT）设备中，作为通用开关和放大元件。其可靠性和性价比使其成为工程师在多种应用中首选的晶体管之一。

2N2222A, PN2222A, MMBT3904