类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极电压（VCBO）：60V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功率耗散（PD）：300mW
　　直流电流增益（hFE）：70 - 700（测试条件IC=2mA, VCE=1V）
　　过渡频率（fT）：80MHz
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23
　　极性：NPN
　　连续集电极电流（IC）：100mA
　　脉冲集电极电流（ICM）：200mA
　　输入电容（Cob）：4pF（典型值，VCE=5V）
　　上升时间（tr）：35ns（典型值）
　　下降时间（tf）：100ns（典型值）

MMBT1815G-GR具备优异的高频响应能力和稳定的直流电流增益特性，使其在小信号放大应用中表现卓越。其典型的过渡频率（fT）达到80MHz，支持在射频前端、音频前置放大器及高速数字开关电路中可靠运行。该晶体管的直流电流增益（hFE）范围宽广，通常在70至700之间，具体数值取决于工作电流，这为设计者提供了灵活的偏置配置空间。在低电流工作状态下（例如IC=0.1mA），仍能维持较高的增益水平，有助于提升弱信号处理系统的灵敏度。
　　该器件采用先进的平面外延工艺制造，确保了良好的热稳定性和长期可靠性。其最大集电极电流为100mA，可在多种低压逻辑接口电路中作为驱动级使用，例如连接微控制器输出到继电器、LED或另一个晶体管的基极驱动。SOT-23封装不仅节省PCB空间，而且具有较低的热阻，有利于热量散发，从而延长器件寿命。
　　MMBT1815G-GR还表现出较低的饱和压降，在VCE(sat)典型值仅为0.25V（IC=10mA, IB=0.5mA）时即可进入深度饱和状态，因此非常适合作为开关使用，尤其在电池供电设备中可有效降低功耗。同时，其反向漏电流（ICEO）极低，一般不超过0.1μA（T=25°C），保证了在待机模式下的低静态功耗，进一步优化系统能效。
　　该晶体管具有良好的温度稳定性，hFE随温度变化较小，并且在-55°C至+150°C的结温范围内均可正常工作，适用于严苛环境下的工业控制、汽车电子辅助系统等应用场景。此外，其寄生电容小，输入电容Cob仅为4pF左右，减少了高频信号失真和相位延迟，提升了整体电路响应速度。综合来看，MMBT1815G-GR是一款高性能、高可靠性的通用小信号NPN晶体管，适用于多样化的设计需求。

MMBT1815G-GR广泛应用于各类消费类电子设备中的信号切换与放大电路，如智能手机、笔记本电脑和平板电视中的逻辑电平转换、LED指示灯驱动以及音频前置放大器。在电源管理系统中，它常被用作低压差稳压器（LDO）的使能控制开关或负载开关，实现对不同功能模块的上电时序控制。此外，该器件也适用于传感器信号调理电路，例如将热敏电阻、光敏元件等微弱模拟信号进行初步放大后再送入ADC采样。
　　在通信领域，MMBT1815G-GR可用于RFID读写器、无线收发模块的小信号放大级，凭借其80MHz的高过渡频率，能够有效放大高频载波信号而不引入显著失真。在工业自动化系统中，该晶体管可作为PLC输入/输出接口的隔离与驱动元件，用于隔离微控制器与外部执行机构之间的电气连接，提高系统的抗干扰能力。
　　由于其SOT-23小型封装，MMBT1815G-GR特别适合高密度贴片组装工艺，常见于蓝牙耳机、智能手表、物联网终端等紧凑型可穿戴设备中，承担按钮去抖、状态检测、蜂鸣器驱动等功能。同时，在DC-DC转换器拓扑结构中，也可作为自举电路或反馈环路中的辅助开关管使用，协助主控IC完成电压调节任务。
　　在汽车电子方面，虽然不属于AEC-Q101认证器件，但MMBT1815G-GR仍可用于非关键性的车载信息娱乐系统、车内照明控制、USB充电端口管理等场景，提供成本效益高的解决方案。总之，其多功能性、高性价比和易于使用的特性使其成为工程师在设计通用放大与开关电路时的首选之一。

BC817-16, MMBT3904, S9013, FMMT1815