类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：80V
　　集电极-基极电压（VCBO）：80V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功率耗散（PD）：350mW
　　直流增益（hFE）：50至300（测试条件IC = 10mA, VCE = 5V）
　　增益带宽积（fT）：200MHz
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

MMBT1116A具备出色的电气特性和热稳定性，能够在较宽的温度范围内保持一致的性能表现。其直流电流增益（hFE）范围为50至300，在典型工作条件下表现出良好的线性放大能力，适合用于小信号放大电路中，如音频前置放大器或传感器信号调理电路。该晶体管的增益带宽积高达200MHz，意味着它不仅适用于直流和低频应用，还能在高频开关场合下稳定运行，例如在射频前端电路或高速数字逻辑切换中发挥良好作用。
　　该器件的集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）在IC = 10mA且IB = 0.5mA时典型值仅为0.11V，表明其在导通状态下具有较低的压降和功耗，有助于提高系统能效，尤其适用于电池供电设备以延长续航时间。同时，其快速开关特性使得开启时间和关闭时间分别约为3ns和45ns，显著提升了在脉冲宽度调制（PWM）、DC-DC转换器和LED调光等应用中的响应速度与控制精度。
　　MMBT1116A采用SOT-23小型化封装，体积紧凑，便于在高密度PCB布局中使用，同时具备良好的散热性能。该器件通过AEC-Q101车规认证，可用于汽车电子环境，如车载信息娱乐系统、车身控制模块和传感器接口等。此外，其高度一致的制造工艺保证了批次间参数的稳定性，降低了设计风险，提高了生产良率。所有金属化端子均采用无铅设计，并兼容自动贴片生产工艺，适合大规模自动化组装。

MMBT1116A广泛应用于各类消费类电子产品中，包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备和家用电器等，主要用于实现信号切换、电平转换和驱动小型负载等功能。在电源管理系统中，它常被用作低压侧开关来控制LED背光或状态指示灯的通断；在嵌入式控制系统中，可用于驱动继电器、蜂鸣器或其他I/O扩展元件。此外，该晶体管也常见于运算放大器输入级、差分对电路以及有源滤波器等模拟信号处理环节。
　　在通信领域，MMBT1116A可用于构建简单的射频放大器或混频器前端，特别是在UHF频段以下的应用中表现出良好的高频响应能力。由于其具备较高的电压耐受能力和较低的噪声水平，也可作为低成本解决方案用于传感器信号放大，例如温度、压力或光电传感器输出的初级放大阶段。在工业自动化设备中，该器件可用于隔离数字控制器与执行机构之间的信号路径，提升系统的抗干扰能力。
　　得益于其通过AEC-Q101认证，MMBT1116A也被广泛用于汽车电子系统，例如车灯控制、电动门窗驱动、空调风扇调速以及车载网络节点的信号缓冲等。其可靠的性能和稳定的参数使其成为工程师在进行通用晶体管选型时的重要候选之一。

BC817-25, MMBT3904, FMMT116