类型：NPN
　　集电极-发射极击穿电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极击穿电压（VCBO）：70V
　　发射极-基极击穿电压（VEBO）：5V
　　最大集电极电流（IC）：400mA
　　最大集电极功耗（Pc）：350mW
　　直流电流增益（hFE）：100 - 300 @ IC = 10mA
　　过渡频率（fT）：300MHz
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

MMBT1116具备优异的高频响应能力，其典型的过渡频率（fT）可达300MHz，这使得它非常适合用于高频放大和高速开关应用。在高频条件下，该晶体管仍能保持良好的增益特性，确保信号处理的准确性和稳定性。这一特性使其广泛应用于射频前端模块、振荡器以及各类通信设备中的小信号放大电路。
　　该器件的直流电流增益（hFE）范围为100至300，在10mA的工作电流下表现尤为稳定，提供了可靠的电流放大能力。这种高增益特性有助于减少多级放大的需求，从而简化电路设计并降低整体成本。同时，高hFE值也意味着较低的基极驱动电流，有利于降低系统功耗，特别适用于电池供电设备。
　　MMBT1116具有较低的饱和压降（VCE(sat)），典型值在160mV左右（IC = 10mA, IB = 0.5mA），这意味着在开关状态下功耗更低，发热更少，提高了系统的能效和长期运行的可靠性。低饱和电压还增强了其作为电子开关的能力，使其在数字逻辑接口、LED驱动和继电器控制等应用中表现出色。
　　该晶体管采用SOT-23小型表面贴装封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，满足现代电子产品对小型化和轻薄化的设计趋势。其热阻特性良好，能够在有限的空间内有效散热。此外，器件符合工业标准的可靠性测试，包括高温反向偏置（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）等，确保在恶劣环境下的长期稳定性。
　　MMBT1116还具备良好的温度稳定性，在-55°C到+150°C的结温范围内均可正常工作，适用于工业控制、汽车电子等对环境适应性要求较高的领域。其材料与工艺符合无铅（Pb-free）和RoHS环保标准，支持绿色制造流程，适用于出口型电子产品和环保认证项目。

MMBT1116广泛应用于各类消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，常用于电源管理、信号切换和逻辑电平转换电路。其高速开关特性和低功耗表现使其成为便携式设备中理想的晶体管选择。
　　在通信系统中，MMBT1116可用于射频信号的小信号放大、混频器驱动或本地振荡器电路，得益于其300MHz的高过渡频率，能够有效处理高频信号而不引入显著失真。此外，在无线模块、蓝牙设备和Wi-Fi模组中，该晶体管也常被用作前置放大或缓冲级。
　　工业控制领域中，MMBT1116可用于传感器信号调理、继电器驱动、电机控制接口等场合。其高可靠性和宽温工作范围使其能在工业环境中长期稳定运行。同时，在PLC（可编程逻辑控制器）、数据采集系统和自动化设备中，该器件常作为开关元件用于数字I/O扩展。
　　在电源管理方面，MMBT1116可用于低压线性稳压器的使能控制、负载开关或电池充放电管理电路中的通断控制。其低饱和压降减少了能量损耗，提升了系统效率。
　　此外，该晶体管也常见于各类嵌入式系统、微控制器外围电路中，用于驱动LED指示灯、蜂鸣器或其他低功率外设。由于其引脚兼容性强，易于替换和升级，因此在原型开发和批量生产中都具有很高的灵活性。

BC847B, 2N3904, FMMT116, MMBT3904, PZT2222A