类型：NPN 双极性晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗：300mW
　　频率范围：最高 250MHz
　　增益（hFE）：典型值 80 到 600（根据电流和工作条件）
　　封装类型：SOT-223

MMBR941BLT1 晶体管具有出色的高频性能，能够在高达 250MHz 的频率下稳定工作。其高增益特性使其适用于需要信号放大的射频电路中。此外，该晶体管具有较低的噪声系数，使其在低噪声放大器（LNA）设计中表现出色。SOT-223 封装形式提供了良好的散热性能，同时便于在 PCB 板上安装和布局。
　　该晶体管的 hFE（电流增益）范围较宽，从 80 到 600，这使得它能够适应多种电路设计需求。此外，MMBR941BLT1 的最大集电极-发射极电压为 30V，集电极电流最大为 100mA，能够在较宽的电压和电流范围内工作，提供稳定可靠的性能。
　　在射频应用中，MMBR941BLT1 表现出良好的线性度和稳定性，减少了信号失真并提高了系统的整体性能。其低功耗特性也有助于延长设备的使用寿命，并减少热量积累。

MMBR941BLT1 主要用于射频和高频放大器电路中，适用于无线通信设备、射频接收机、天线放大器、信号处理模块等。此外，它也可用于音频放大器、开关电路和通用电子设备中的信号放大和处理。
　　具体应用包括 AM/FM 收音机、无线遥控器、对讲机、无线传感器网络、RFID 读写器等设备中的信号放大环节。由于其低噪声和高增益特性，MMBR941BLT1 也常用于前置放大器和低噪声放大器（LNA）的设计中。

BCX70, BFQ59, 2N3904, BF199