MMBR930L是一款双极型晶体管(BJT),主要用于高频放大和开关应用。该器件采用NPN结构,具有良好的高频特性和低噪声系数,适用于射频(RF)和中频(IF)信号的放大处理。MMBR930L封装形式为SOT-23,体积小巧,便于在高密度PCB设计中使用。
类型: NPN晶体管
集电极-发射极电压(VCEO): 30V
最大集电极电流(IC): 100mA
最大功耗(PD): 300mW
频率响应(fT): 100MHz
电流增益(hFE): 最小110(在IC=2mA,VCE=5V时)
封装形式: SOT-23
MMBR930L具有出色的高频性能,在100MHz范围内仍能保持较高的增益稳定性,使其适用于射频放大器和中频放大电路。此外,该晶体管的噪声系数较低,有助于提高信号的信噪比,适用于对信号质量要求较高的应用场合。
该器件的工作电压范围较宽,集电极-发射极电压最高可达30V,适合多种电源设计环境。同时,其最大集电极电流为100mA,能够在中等功率的开关电路中稳定工作。
MMBR930L采用SOT-23封装,具有良好的热稳定性和机械强度,适合在空间受限的电路板上使用。此外,该晶体管的电流增益范围较宽,根据不同等级的分档,hFE可从110到800之间变化,满足不同应用场景的需求。
MMBR930L广泛应用于射频和中频放大器电路中,例如无线通信设备中的信号增强模块。它也适用于低噪声前置放大器、振荡器和混频器等高频电路。
在消费类电子产品中,MMBR930L可用于音频放大器、无线遥控装置以及传感器信号调理电路。其高频响应和低噪声特性使其成为无线局域网(WLAN)和蓝牙模块中的理想选择。
此外,该晶体管也可用于开关电路,如LED驱动、继电器控制和电源管理模块等。由于其封装小巧,MMBR930L常被用于便携式设备和嵌入式系统中。
MMBR930LT1, MMBR930LT3, 2N3904