时间：2025/12/25 6:21:37
阅读：16
MMBFJ177LT1是一款由ON Semiconductor生产的N沟道JFET（结型场效应晶体管），采用小型SOT-23封装。该晶体管广泛用于低噪声放大器、模拟开关、信号调节电路等应用中。由于其良好的线性特性和低输入偏置电流，MMBFJ177LT1在射频（RF）和音频放大器设计中表现出色。
类型：N沟道JFET
封装类型：SOT-23
最大漏极电流（ID）：10mA
最大漏极-源极电压（VDS）：25V
最大栅极-源极电压（VGS）：-25V
最大功耗：100mW
工作温度范围：-55°C至+150°C
MMBFJ177LT1具有低噪声特性，适合用于前置放大器和低电平信号放大。其JFET结构提供了高输入阻抗，有助于减少对信号源的负载影响。
此外，该器件的线性增益特性使其在模拟开关和可变电阻电路中表现优异。由于其小型封装，MMBFJ177LT1非常适合用于空间受限的高密度PCB设计。
该晶体管在宽温度范围内保持稳定性能，适用于工业和汽车电子应用。其高可靠性和长期稳定性也使其成为许多模拟电路设计中的首选元件。
MMBFJ177LT1常用于音频放大器、射频放大器、模拟开关、多路复用器、信号调节电路和传感器接口电路。此外，它也适用于低噪声前置放大器和精密模拟电路设计。
J177, MMBFJ177, MMBF J177LT1
