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MMBD914LT1G 发布时间 时间:2024/7/16 14:59:09 查看 阅读:185

MMBD914LT1G是一款双向导通二极管,采用SOT-23封装,具有极高的开关速度和低反向漏电流,被广泛应用于高速开关、电源管理、信号整形和保护等领域。MMBD914LT1G的最大反向电压为100V,最大连续工作电流为200mA,其封装尺寸为2.9mm x 1.3mm x 1.1mm。
  MMBD914LT1G是一种双向导通二极管,具有两个PN结,其结构与普通二极管相似。当正向偏置时,两个PN结都导通,电流可以从P区流向N区,也可以从N区流向P区,因此可以实现双向导通。当反向偏置时,两个PN结都截止,电流无法通过。在高速开关、电源管理、信号整形和保护等领域中,MMBD914LT1G被广泛应用。

参数

1、最大反向电压:75V
  2、最大平均整流电流:200mA
  3、最大脉冲峰值电流:500mA
  4、最大功耗:150mW
  5、最大工作温度:150℃
  6、封装形式:SOT-23-3

特点

1、高速开关特性:MMBD914LT1G可以在纳秒级别内进行开关操作,非常适合于需要高速开关的电路设计。
  2、小体积封装:由于其采用了SOT-23-3封装形式,因此体积非常小,可以节省电路板的空间。
  3、低导通压降:其导通压降只有0.715V,因此可以减少电路中的能量损耗。
  4、反向漏电流低:MMBD914LT1G的反向漏电流只有几个pA的级别,因此非常适合于需要高精度的电路设计。
  5、高可靠性:由于其采用了ON Semiconductor公司的制造工艺,因此具有很高的可靠性和稳定性。

工作原理

MMBD914LT1G是一种PN结二极管,其工作原理与一般的二极管相同。具体地说,当正向偏置时,P区的空穴和N区的电子会进行复合,形成电流;当反向偏置时,P区和N区的电荷会被电场分离,形成反向漏电流。由于其封装形式非常小巧,因此可以在高速电路中用作快速开关元件。

应用场景

由于其高速开关特性和小巧的封装形式,MMBD914LT1G适用于许多应用场景,例如:
  1、用作高速开关元件:MMBD914LT1G可以在纳秒级别内进行开关操作,非常适合于需要高速开关的电路设计。
  2、用作反向保护元件:由于其反向漏电流低,因此可以用作反向保护电路中的元件。
  3、用作信号整形器:由于其导通压降低,因此可以用作信号整形器,将信号进行整形和放大。

安装要点

1、首先要进行良好的静电防护措施,避免将二极管损坏。
  2、在焊接过程中,应注意温度和时间,以防止焊点过热或过冷。
  3、在连接线路时,应正确连接极性,避免连接错误。
  4、在选用电源电压时,应注意不要超过二极管的最大反向电压。

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MMBD914LT1G参数

  • 标准包装10
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型标准
  • 电压 - (Vr)(最大)100V
  • 电流 - 平均整流 (Io)200mA(DC)
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1V @ 10mA
  • 速度小信号 =
  • 反向恢复时间(trr)4ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电5µA @ 75V
  • 电容@ Vr, F4pF @ 0V,1MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称MMBD914LT1GOSDKR