时间：2025/5/19 15:48:04
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MMBD770LT1G 是一款高性能的双极性晶体管（BJT），属于 NPN 类型，主要用于高频开关和信号放大应用。该晶体管具有低噪声、高增益和快速开关特性，适用于无线通信、射频模块和其他高频电子设备中。
集电极-发射极电压（VCEO）：30V
集电极电流（IC）：200mA
直流电流增益（hFE）：最小值 300，最大值 800
频率特性（ft）：4GHz
功耗（Ptot）：360mW
封装类型：SOT-363
MMBD770LT1G 具有以下显著特点：
1. 高频响应能力，适合射频和高速数字电路。
2. 小尺寸 SOT-363 封装，有助于节省 PCB 空间。
3. 高电流增益范围，能够提供稳定的信号放大效果。
4. 工作电压较低，适用于低功耗设计。
5. 稳定性好，能够在较宽的温度范围内正常工作（-55°C 至 +150°C）。
6. 良好的抗干扰性能，适用于噪声敏感环境。
这款晶体管广泛应用于以下领域：
1. 射频信号放大和调制解调电路。
2. 高速数据传输中的开关控制。
3. 移动通信设备中的功率放大模块。
4. 音频设备中的前置放大器。
5. 测试与测量仪器中的精密信号处理电路。
6. 各类便携式电子设备中的低功耗控制单元。
MMBT770LT1G, MMBT770T1G
