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MMBD717LT1G 发布时间 时间:2025/5/8 15:01:15 查看 阅读:9

MMBD717LT1G是一款小型表面贴装双极性晶体管(SOT-23封装),广泛用于高频放大器、开关电路和信号调节应用。该晶体管采用NPN结构,适用于低噪声和高增益的应用场景。
  该器件的制造工艺确保了其出色的电气特性和可靠性,同时由于采用了SOT-23封装,使其非常适合于空间受限的设计环境。

参数

集电极-发射极击穿电压(VCEO):40V
  集电极电流(IC):200mA
  直流电流增益(hFE):最小值100,最大值600
  工作结温范围(TJ):-55°C至+150°C
  存储温度范围:-65°C至+150°C
  热阻(RthJC):200°C/W

特性

MMBD717LT1G具有以下显著特点:
  1. 高增益:直流电流增益(hFE)在100到600之间,适合需要高增益的电路。
  2. 小型化设计:采用SOT-23封装,体积小且易于集成。
  3. 宽温度范围:能够适应从-55°C到+150°C的工作结温范围,适合多种环境条件下的应用。
  4. 低噪声性能:特别适合要求低噪声的高频放大器和射频电路。
  5. 可靠性高:经过严格的测试流程,保证了长时间工作的稳定性。

应用

该晶体管适用于各种电子设备中的放大和开关功能:
  1. 音频放大器
  2. 无线通信模块
  3. 工业控制设备
  4. 消费类电子产品
  5. 数据传输接口
  6. 传感器信号调理电路
  7. 开关电源辅助电路

替代型号

MBRD717LT1G, MMBT717LT1G

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MMBD717LT1G产品

MMBD717LT1G参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭二极管,整流器 - 阵列
  • 系列-
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)370mV @ 1mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电1µA @ 10V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管)1mA
  • 电压 - (Vr)(最大)20V
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 二极管类型肖特基
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 二极管配置1 对共阳极
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装SC-70-3(SOT323)
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称MMBD717LT1GOSDKR