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MMBD4448V 发布时间 时间:2025/6/17 9:54:04 查看 阅读:4

MMBD4448V是一款高性能的双极性晶体管,常用于射频(RF)和高频信号放大电路中。该晶体管采用了先进的制造工艺,具有低噪声、高增益和宽频率范围的特点。它适用于各种无线通信设备、信号放大器和其他高频电子应用。
  MMBD4448V的工作频率范围非常广,能够满足大多数射频应用的需求。此外,其出色的线性度和稳定性也使其成为设计人员的理想选择。

参数

集电极-发射极电压(Vce):30V
  集电极电流(Ic):200mA
  直流电流增益(hFE):100~600
  最大耗散功率(Ptot):350mW
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  特征频率(Ft):900MHz
  噪声系数:1.7dB

特性

MMBD4448V具有以下主要特性:
  1. 高频率响应能力,适合射频和高频应用。
  2. 低噪声系数,确保在高频条件下提供更清晰的信号传输。
  3. 稳定的直流电流增益,能够在不同负载条件下保持一致的性能。
  4. 宽工作温度范围,适应极端环境下的使用需求。
  5. 小型化封装,便于集成到紧凑型设计中。
  这些特性使MMBD4448V在无线通信模块、射频放大器和高频振荡器等应用中表现出色。

应用

MMBD4448V广泛应用于以下领域:
  1. 射频信号放大器:用于提高信号强度,适用于无线电通信系统。
  2. 高频振荡器:生成稳定的高频信号,用于时钟或调制解调器。
  3. 无线通信设备:包括蓝牙模块、Wi-Fi模块和远程控制设备。
  4. 调制解调器和变频器:用于信号转换和处理。
  5. 测试与测量设备:如频谱分析仪和信号发生器。
  通过利用其高增益和低噪声的优势,MMBD4448V可以显著提升系统的整体性能。

替代型号

MBRD4448V
  MMBTH4448V
  MMBT4448V

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MMBD4448V参数

  • 制造商Diodes Inc.
  • 产品种类发光二极管(通用、电源、转换)
  • 产品Switching Diodes
  • 峰值反向电压80 V
  • 正向连续电流0.25 A
  • 最大浪涌电流4 A
  • 配置Dual Anti Parallel
  • 恢复时间4 ns
  • 正向电压下降1.25 V
  • 最大反向漏泄电流0.1 uA
  • 工作温度范围- 65 C to + 150 C
  • 封装 / 箱体SOT-563-6
  • 封装Reel
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 最小工作温度- 65 C
  • 安装风格SMD/SMT