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MMBD4448HTM-7 发布时间 时间:2025/5/21 17:40:29 查看 阅读:3

MMBD4448HTM-7是一种NPN型双极性晶体管,主要用于高频和高速开关应用。该晶体管采用TO-252封装形式,具有低饱和电压和高增益的特点,适用于各种功率放大器、信号调节电路以及开关电源等场景。

参数

集电极-发射极击穿电压:80V
  集电极最大电流:1A
  直流电流增益(hFE):最小值100,典型值300
  集电极-发射极饱和电压:0.3V(在特定测试条件下)
  过渡频率:300MHz
  功耗:625mW

特性

MMBD4448HTM-7晶体管具备出色的高频性能,适合要求快速响应的应用场景。
  其低饱和电压特性使其能够在开关模式下提供较高的效率。
  此外,该器件的高增益保证了在弱信号放大的情况下仍能保持良好的输出质量。
  它的工作温度范围为-55℃至+150℃,能够适应恶劣环境下的使用需求。
  由于采用了表面贴装技术(SMD),这种晶体管非常适合自动化生产流程,同时减少了安装空间的需求。

应用

该晶体管广泛应用于消费类电子产品中,例如音频功率放大器、无线通信模块中的射频电路、工业控制设备中的开关电源转换器等。
  此外,还常用于继电器驱动、电机控制以及其他需要高性能开关或放大功能的场景。
  在汽车电子领域,它也可用作负载切换元件,如LED驱动、传感器接口等。

替代型号

MMBTA4448HTM-7, MMBT4448W

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MMBD4448HTM-7参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭二极管,整流器 - 阵列
  • 系列-
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.25V @ 150mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电100nA @ 70V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管)250mA
  • 电压 - (Vr)(最大)80V
  • 反向恢复时间(trr)4ns
  • 二极管类型标准
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 二极管配置3 个独立式
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-23-6
  • 供应商设备封装SOT-26
  • 包装剪切带 (CT)
  • 其它名称MMBD4448HTMDICT