MMBD355W 时间：2025/8/14 14:44:23 阅读：15

MMBD355W 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双通用硅开关二极管阵列。该器件包含两个独立的开关二极管，适用于多种高频和低功率应用。MMBD355W 采用小型表面贴装封装（SOT-23），适用于需要高效能和高可靠性的电子电路。该二极管具有低正向压降和快速恢复时间，非常适合用于开关电路、信号检测、逻辑保护和隔离电路。

参数

类型：双开关二极管阵列
　　最大正向电流（IF）：100 mA
　　峰值反向电压（VRM）：70 V
　　正向压降（VF）：1.0 V（最大值，IF=10 mA）
　　反向漏电流（IR）：100 nA（最大值，VR=70 V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

MMBD355W 的主要特性之一是其采用双二极管结构，允许在单一芯片上实现多个开关功能，从而减少PCB空间和元件数量。该器件的快速恢复时间（trr）通常小于25 ns，使其适用于高频开关应用。其低正向压降（VF）确保了在导通状态下的低功耗，提高了整体系统效率。此外，MMBD355W 具有良好的温度稳定性，能够在极端温度条件下保持稳定的性能。该器件的SOT-23封装形式便于自动化生产和表面贴装工艺，适合广泛用于消费类电子产品、工业控制系统和通信设备。
　　MMBD355W 还具有较高的反向击穿电压（VRM=70V），适用于中等电压的开关和整流应用。其低反向漏电流（IR）特性确保了在高温和高压环境下仍然具有较高的绝缘性能和可靠性。此外，该二极管符合RoHS标准，适用于环保型电子产品设计。

应用

MMBD355W 常用于多种电子系统中的开关、整流和信号处理功能。其典型应用包括数字电路中的电平转换和逻辑隔离、高频整流器、保护电路（如反向极性保护）、信号检测和解调电路。在通信系统中，MMBD355W 可用于射频信号开关和隔离，确保信号路径的准确控制。由于其低功耗和高频率响应，该器件也常用于电池供电设备、便携式电子产品和嵌入式系统。此外，它还可用于工业控制电路中的继电器驱动、传感器信号处理和接口保护，确保系统在复杂环境下的稳定运行。